[发明专利]电荷雪崩光电探测器系统有效
申请号: | 201780065010.5 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN110100315B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 伊内斯·弗雷塞 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L27/144;H01L31/024 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 雪崩 光电 探测器 系统 | ||
1.一种电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),包括:
基于电荷雪崩原理的电荷雪崩光电探测器;以及
放大器电子器件,所述放大器电子器件电连接在所述电荷雪崩光电探测器的下游;
其中,所述电荷雪崩光电探测器适合于选择性地利用偏置电压Vbias或不利用这种偏置电压Vbias操作。
2.根据权利要求1所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
通过所述放大器电子器件进行从利用偏置电压Vbias的操作到不利用这种偏置电压Vbias的操作的切换,反之亦然。
3.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
在所述电荷雪崩光电探测器利用偏置电压Vbias的操作以及在所述电荷雪崩光电探测器不利用这种偏置电压Vbias的操作两者中,所述电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS)都是可操作的,并且选择性地接通所述放大器电子器件或断开所述放大器电子器件。
4.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
所述电荷雪崩光电探测器能够在盖格模式、电荷积分模式和/或PIN光电二极管模式之间切换。
5.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
所述电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS)能够在以下测量模式下操作,即所述电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS)能够从下面所列出的任一期望的测量模式切换到任一其它测量模式或者至少能够按照以下顺序在各自的直接相邻的测量模式之间进行切换:
·总增益模式0:在不利用偏置电压Vbias且在所述放大器电子器件断开的情况下,操作所述电荷雪崩光电探测器;
·总增益模式1:在不利用偏置电压Vbias且所述放大器电子器件接通的情况下,操作所述电荷雪崩光电探测器;
·总增益模式2:在利用偏置电压Vbias且所述放大器电子器件断开的情况下,操作所述电荷雪崩光电探测器;
·总增益模式3:在利用偏置电压Vbias且所述放大器电子器件接通的情况下,操作所述电荷雪崩光电探测器。
6.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
所述电荷雪崩光电探测器为硅光电倍增器(SiPM)或包括硅光电倍增器(SiPM)。
7.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
所述放大器电子器件为跨阻抗放大器或所述放大器电子器件包括跨阻抗放大器。
8.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
所述电荷雪崩光电探测器被配置在第一模块中/被配置作为第一模块,并且所述放大器电子器件被配置在第二模块中/被配置作为第二模块。
9.根据权利要求1或2所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS),其特征在于,
所述电荷雪崩光电探测器嵌入或布置在冷却元件中/所述电荷雪崩光电探测器嵌入或布置在冷却元件处。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的电荷雪崩光电探测器系统(CAPDS)用于光电探测的用途,其中,所述电荷雪崩光电探测器选择性地利用偏置电压Vbias或不利用偏置电压Vbias操作。
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