[发明专利]熔丝状态感测电路、装置和方法有效
申请号: | 201780064978.6 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN109906484B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 颜燕;崔允荣;J·李 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18;G11C7/06 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丝状 态感测 电路 装置 方法 | ||
熔丝状态感测电路、装置和方法。在一些实施例中,熔丝状态感测电路可包括使能块,其被配置成在基本上与施加电源电压的同时接收到使能信号时,使能由电源电压导致的熔丝电流到熔丝元件的流动。熔丝状态感测电路可进一步包括被适配成控制熔丝电流的量的电流控制块。熔丝状态感测电路可进一步包括判决块,其实施成基于熔丝电流来产生表示熔丝元件的状态的输出,所述输出在电源电压的施加的斜升部分期间产生。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年8月29日递交的,名称为“FUSE STATE SENSING CIRCUITS,DEVICES AND METHODS”的美国临时申请No.62/380,861的优先权,其公开内容通过引用全文明确地合并于此。
技术领域
本申请涉及在半导体器件上实施的熔丝状态感测技术。
背景技术
在半导体器件例如晶片(die)上实施的许多集成电路中,熔丝可以用来储存信息。例如,熔丝存储的值能够提供关于在不同集成电路晶片之间的部件到部件和/或工艺变化的信息。利用这样的信息,给定的集成电路晶片能够适当地操作以提供希望的功能。
发明内容
根据一些实施方式,本申请涉及一种熔丝状态感测电路,其包括使能块,其被配置为在基本上与施加电源电压的同时接收到使能信号时,使能由电源电压导致的熔丝电流到熔丝元件的流动。所述熔丝状态感测电路还包括电流控制块,其被适配(tailor)为控制所述熔丝电流的量;以及判决块,其被实施成基于所述熔丝电流来产生表示所述熔丝元件的状态的输出,其中所述输出在所述电源电压的所述施加的斜升部分期间产生。
在一些实施例中,所述使能块可进一步配置成在接收到所述使能信号时使能由所述电源电压导致的参考电流到参考元件的流动。所述电流控制块可进一步适配成控制所述参考电流的量。所述判决块可进一步实施成基于所述熔丝电流和所述参考电流来产生所述输出。所述判决块可包括用于接收所述电源电压的电源节点,使得所述判决块接收所述电源电压。所述使能块可包括用于连接到所述熔丝元件的熔丝节点,使得所述电流控制块被实施在所述判决块和所述使能块之间。
在一些实施例中,所述判决块、所述使能块和所述电流控制块可通过位于被配置为接收所述电源电压的电源节点和被配置为连接到所述熔丝元件的熔丝节点之间的熔丝电流路径来互连。所述判决块、所述使能块及所述电流控制块可进一步通过位于所述电源节点与被配置成连接到参考元件的参考节点之间的参考电流路径来互连。
在一些实施例中,所述参考元件可包括参考电阻。所述熔丝元件的一端可连接到所述熔丝节点,且所述熔丝元件的另一端可连接到地(ground)。所述参考元件的一端可连接到所述参考节点且所述参考元件的另一端可连接到地。所述熔丝电流路径和所述参考电流路径在所述电源节点和所述地之间可以是电并联的。
在一些实施例中,所述熔丝电流路径可包括在所述电源节点和所述熔丝节点之间串联地实施的判决晶体管、电流控制晶体管和使能晶体管。所述判决晶体管可连接到所述电源节点且所述使能晶体管可连接到所述熔丝节点,使得所述电流控制晶体管位于所述判决晶体管与所述使能晶体管之间。所述参考电流路径可包括在所述电源节点与所述参考节点之间串联地实施的判决晶体管、电流控制晶体管及使能晶体管。所述判决晶体管可连接到所述电源节点且所述使能晶体管连接到所述参考节点,使得所述电流控制晶体管位于所述判决晶体管与所述使能晶体管之间。
在一些实施例中,所述熔丝电流路径的所述使能晶体管和所述参考电流路径的所述使能晶体管可以是所述使能块的一部分。所述熔丝电流路径的所述使能晶体管和所述参考电流路径的所述使能晶体管中的每一个可包括栅极、源极和漏极,以允许在施加栅极电压时电流在所述漏极与所述源极之间流动。每个使能晶体管可以是例如n型场效应晶体管。所述参考电流路径的所述使能晶体管的所述源极可连接到所述参考节点,且所述熔丝电流路径的所述使能晶体管的所述源极可连接到所述熔丝节点。每个使能晶体管的所述栅极可连接到使能节点,用于接收所述使能信号作为所述栅极电压。
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