[发明专利]打线方法与打线装置有效
申请号: | 201780064819.6 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN109844914B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 丸矢裕介;関根悠超 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 线装 | ||
本发明为一种打线方法及打线装置,可准确地接合多个电极。打线方法包括:准备打线装置(1)的步骤;球形成步骤,形成焊球(43);第一高度测定步骤,通过检测焊球(43)是否接地至第一电极,而测定第一电极的高度;第二高度测定步骤,通过检测焊球(43)是否接地至第二电极,而测定第二电极的高度;第一接合步骤,基于第一高度测定步骤的测定结果来控制接合工具(40)的高度,将所述焊球(43)接合至第一电极;以及第二接合步骤,基于第二高度测定步骤的测定结果来控制接合工具(40)的高度,将引线(42)接合至第二电极,以将第一电极与第二电极予以连接。
技术领域
本发明涉及一种打线(wire bonding)方法及打线装置。
背景技术
以往,在半导体装置的制造方法中,例如广泛使用有打线,即,将半导体芯片(chip)的电极与基板的电极这二点间通过引线(wire)来电性连接。在打线中,通过电性放电等而在从接合工具(bonding tool)的前端延伸出的引线的前端形成球(ball)部,使接合工具朝向半导体装置的接合点下降,通过接合工具来按压配置于接合点上的球部,并且供给超声波振动等,由此来使两者接合。
与此相关地,在专利文献1中,公开有一种附接合电平(bond level)自动调整功能的打线器(wire bonder),其是在利用导体线来将大规模集成电路(Large ScaleIntegration,LSI)的焊盘(pad)与外部导线(lead)间予以连接的打线器中,具备在接合时对焊盘及导线的高度进行测定的功能,并根据所测定出的焊盘、导线的高度及座标,通过计算而求出所测定的部位以外的焊盘及导线的高度,从而通过适当的接合电平来进行接合。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本专利特开平6-181232号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,在引线的球部直径小的情况下,或者接合对象是倾斜地设置(set)而每个接合点的高度不均的情况等下,有可能无法准确地测定各接合点的高度,从而无法准确地进行接合。
本发明是有鉴于此种情况而完成,其目的之一在于提供一种可准确地将多个电极予以接合的打线方法及打线装置。
[解决问题的技术手段]
本发明的一形态的打线方法包括:打线装置准备步骤,准备打线装置,所述打线装置具备接合工具及接合载台(bonding stage),所述接合工具是以使引线插通的方式而构成,所述接合载台对包含第一电极及第二电极的工件(work)进行固定并保持;球形成步骤,在插通于接合工具的引线的前端形成焊球(free air ball);第一高度测定步骤,通过检测焊球是否接地至第一电极,而测定第一电极的高度;第二高度测定步骤,通过检测焊球是否接地至第二电极,而测定第二电极的高度;第一接合步骤,基于第一高度测定步骤的测定结果来控制接合工具的高度,将所述焊球接合至第一电极;以及第二接合步骤,基于第二高度测定步骤的测定结果来控制接合工具的高度,将引线接合至第二电极,以将第一电极与第二电极予以连接。
在所述打线方法中,第一高度测定步骤及第二高度测定步骤也可包括:基于引线前端的焊球分别按压第一电极及第二电极时的、施加至焊球的接合负载的变化,来检测引线前端的焊球是否分别接地至第一电极及第二电极。
在所述打线方法中,第一高度测定步骤及第二高度测定步骤也可包括:基于引线前端的焊球分别接触至第一电极及第二电极时的、对插通于接合工具的引线所供给的规定的电信号的输出变化,来检测引线前端的焊球是否分别接地至第一电极及第二电极。
在所述打线方法中,规定的电信号是直流电压信号或交流电压信号,第一高度测定步骤及第二高度测定步骤也可包括:基于引线与第一电极及第二电极各自之间的电位差的变化,来检测引线前端的焊球是否接地至第一电极及第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造