[发明专利]存储器单元、存储器单元系统和制造存储器单元的方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

包含多个单元组件的突触存储器单元，所述多个单元组件中的每一个包括至少一个单位单元，并且所述多个单元组件中的至少一个包括并联连接的多个单位单元；

多个写入线，被配置为将突触状态写入该突触存储器单元，其中，所述多个写入线中的每一个被配置为：通过将第二组状态写入到所述多个单元组件的相应单元组件中包括的至少一个单位单元的全体来将第一组状态写入所述多个单元组件的所述相应单元组件，所述第一组状态和所述第二组状态各自具有预定数量的状态，所述第一组依赖于所述第二组和包括在所述相应单元组件中的至少一个单位单元的数量；和

读取线，被配置为从该突触存储器单元读取该突触状态，其中，所述读取线被配置为同时从所述多个单元组件的全体读取所述第一组状态。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述至少一个单位单元中的每一个是电阻，并且所述预定数量的状态是关于所述电阻的电导的状态。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述至少一个单位单元中的每一个是电容器，并且所述预定数量的状态是关于所述电容器的电容的状态。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中：

所述预定数量的状态的预定数量是2，所述多个单元组件的第i个单元组件包括2^i-1个单位单元，其中i是自然数；和

所述第一组状态中的每一个是所述第二组状态中一个对应状态的2^i-1倍。

5.根据权利要求1至3中的任何之一所述的存储器单元，其中：

所述预定数量的状态的预定数量是3；

所述多个单元组件的第i个单元组件包括3^i-1个单位单元，其中i是自然数；和

所述第一组状态中的每一个是所述第二组状态中的一个对应状态的3^i-1倍。

6.一种存储器单元系统，包括：

包含多个单元组件的突触存储器单元，所述多个单元组件中的每一个包括至少一个单位单元，并且所述多个单元组件中的至少一个包括并联连接的多个单位单元；

多个写驱动器，被配置为将突触状态写入该突触存储器单元，所述多个写驱动器中的每一个被配置为：通过将第二组状态写入到所述多个单元组件的相应单元组件中包括的至少一个单位单元的全体来将第一组状态写入所述多个单元组件的所述相应单元组件，所述第一组依赖于所述第二组和包括在所述相应单元组件中的至少一个单位单元的数量，所述第一组状态和所述第二组状态各自具有预定数量的状态；和

读驱动器，被配置为从该突触存储器单元读取该突触状态，其中，所述读驱动器被配置为同时从所述多个单元组件的全体读取所述第一组状态。

7.根据权利要求6所述的存储器单元系统，其中所述至少一个单位单元中的每一个是电阻，并且所述预定数量的状态是关于所述电阻的电导的状态。

8.根据权利要求6所述的存储器单元系统，其中所述至少一个单位单元中的每一个是电容器，并且所述预定数量的状态是关于所述电容器的电容的状态。

9.根据权利要求6至8的任何之一所述的存储器单元系统，其中：

所述预定数量的状态的预定数量是2，所述多个单元组件的第i个单元组件包括2^i-1个单位单元，其中i是自然数；和

所述第一组状态中的每一个是所述第二组状态中一个对应状态的2^i-1倍。

10.根据权利要求6至8的任何之一所述的存储器单元系统，其中：

所述预定数量的状态的预定数量是3；

所述多个单元组件的第i个单元组件包括3^i-1个单位单元，其中i是自然数；和

所述第一组状态中的每一个是所述第二组状态中的一个对应状态的3^i-1倍。

11.一种用于制造存储器单元的方法，所述方法包括：

准备多个单位单元；

构成多个单元组件，所述多个单元组件中的每一个包括所述多个单位单元的至少一个，并且所述多个单元组件中的至少一个包括并联连接的多个单位单元；

构成包含所述多个单元组件的突触存储器单元；

设置被配置为将突触状态写入所述突触存储器单元的多个写入线，所述多个写入线中的每一个被配置为：通过将第二组状态写入到所述多个单元组件的相应单元组件中包括的至少一个单位单元的全体来将第一组状态写入所述多个单元组件的所述相应单元组件，所述第一组状态和所述第二组各自具有预定数量的状态，所述第一组依赖于所述第二组和包括在所述相应单元组件中的至少一个单位单元的数量；和

设置被配置为从所述突触存储器单元读取该突触状态的读取线，所述读取线被配置为同时从所述多个单元组件的全体读取所述第一组状态。