[发明专利]TFT基板有效
| 申请号: | 201780064709.X | 申请日: | 2017-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN109844912B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 蔡乙诚 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft 基板 | ||
一种TFT基板,具有多个像素和多个TFT(10)。TFT基板具有:第1导电层(12),其包含TFT的栅极电极(12g);栅极绝缘层(13);半导体层(14);保护绝缘层(15),其包含覆盖沟道区域(14c)的部分,具有到达源极区域(14s)的第1开口部(15a)和到达漏极区域(14d)的第2开口部(15b);以及第2导电层(16),其包含源极电极(16s)和漏极电极(16d)。多个像素中的每个像素具有补偿电容部(30),第1导电层还包含第1电极部(12a),第1电极部(12a)电连接到栅极电极,构成补偿电容部,第2导电层还包含第2电极部(16a),第2电极部(16a)电连接到漏极电极,与第1电极部重叠,构成补偿电容部。保护绝缘层还具有第3开口部(15c),第3开口部(15c)与半导体层不重叠,第3开口部(15c)包含:第1部分(15c1),其与第1电极部及第2电极部重叠;以及第2部分(15c2),其沿着从第2开口部朝向第1开口部的方向(Da)与第1部分相邻,与第1电极部和/或第2电极部不重叠。
技术领域
本发明涉及TFT基板。
背景技术
按每个像素具有开关元件的有源矩阵基板已用于显示装置等各种用途。具有薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵基板被称为TFT基板。
TFT基板具有:按每个像素设置的TFT和像素电极;向TFT供应扫描信号电压(栅极信号电压)的栅极总线;以及向TFT供应显示信号电压(源极信号电压)的源极总线等。TFT的栅极电极、源极电极以及漏极电极分别电连接到栅极总线、源极总线以及像素电极。
在具备TFT基板的显示装置中,为了提高显示质量,进行了各种设计。例如在液晶显示装置中,各像素呈现与施加到液晶层的电压的大小相应的亮度。像素在电方面表现为包括像素电极/液晶层/相对电极的液晶电容,施加到像素(液晶层)的电压的大小以相对电极的电位为基准来表示。液晶材料是电介质,当被长时间施加直流电压时会劣化。为了防止这种情况,施加到液晶层的电压(电场)按每固定时间而极性(方向)反转(被称为“交流驱动”)。已采用按每个垂直扫描期间使施加到各像素的电压的极性(电场的方向)反转的帧反转驱动(或者场反转驱动)。此外,“垂直扫描期间”是指从选择了某栅极总线(扫描线)到下次选择该栅极总线为止的期间。
然而,在量产的液晶显示装置中,使电压的极性反转的前后的电压的绝对值准确地一致是困难的,每次极性反转时电压的绝对值会略有变化。其结果是,当显示静态图像时,每次极性反转时亮度会变化,发生显示出现闪光这样的闪烁。因此,采用了如下方法:通过在显示区域内将被施加相互相反的极性的电压的像素相邻地配置,利用像素的亮度在空间上被平均的效果,从而降低闪烁。其代表性方法是使施加到相互相邻的像素的电压的极性反转而实现被称为“点反转”的状态的驱动方法。“点”意味着像素。
专利文献1公开了呈现点反转状态的液晶显示装置及其驱动方法。图51中示出具有专利文献1的图2的连接关系的TFT基板900。图51示出了呈现点反转状态的液晶显示装置具备的TFT基板900中的各像素的TFT10和像素电极18、源极总线S以及栅极总线G的电连接关系。当将源极总线S延伸的方向设为列方向时,如图51所示,在列方向上相邻的像素的TFT10连接到相互不同的源极总线S(即,各像素的TFT10相对于源极总线S排列为锯齿状)。对于具备图51的TFT基板的液晶显示装置,采用在各垂直扫描期间中向相邻的源极总线S供应极性相互相反的显示信号电压的驱动方法,从而能呈现点反转状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





