[发明专利]用于图案化晶片特性化的混合度量有效
申请号: | 201780064586.X | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN110100174B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 陈博学;A·韦尔德曼;A·库兹涅佐夫;A·舒杰葛洛夫 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/88 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图案 晶片 特性 混合 度量 | ||
1.一种混合度量系统,其包括:
第一度量系统,其经配置以产生与半导体晶片上的第一测量点相关联的第一量的测量数据,其中所述第一测量点包含通过多个几何参数特性化的图案化度量目标;
第二度量系统,其不同于所述第一度量系统,其中所述第二度量系统产生与所述半导体晶片上的所述第一测量点的测量相关联的第二量的测量数据;及
计算系统,其经配置以:
基于所述第一量的测量数据确定与所述图案化度量目标相关联的第一几何参数的值;
基于所述第二量的测量数据确定与所述图案化度量目标相关联的第二几何参数的值;
基于所述第一量的测量数据及所述第二几何参数的所述值确定第一所关注参数的值;及
基于所述第二量的测量数据及所述第一几何参数的所述值确定第二所关注参数的值;及
将所述第一所关注参数及所述第二所关注参数的所述值存储于存储器中。
2.根据权利要求1所述的混合度量系统,其中所述第二度量系统是以下任一者:扫描电子显微镜SEM系统、透射电子显微镜TEM系统、原子力显微镜AFM系统及基于x射线的度量系统。
3.根据权利要求1所述的混合度量系统,其进一步包括:
第三度量系统,其不同于所述第一度量系统及所述第二度量系统,其中所述第三度量系统产生与所述半导体晶片上的所述第一测量点的测量相关联的第三量的测量数据,其中所述计算系统经进一步配置以:
基于所述第三量的测量数据确定与所述图案化度量目标相关联的第三几何参数的值,其中所述第一所关注参数的所述值的所述确定也是基于所述第三几何参数的所述值;
基于所述第三量的测量数据及所述第一几何参数的所述值确定第三所关注参数的值;及
将所述第三所关注参数的所述值存储于存储器中。
4.根据权利要求1所述的混合度量系统,其中所述第二几何参数的所述值的所述确定在所述第一几何参数的所述值的所述确定之后发生且至少部分基于所述第一几何参数的所述值。
5.根据权利要求1所述的混合度量系统,其中第一所关注参数的所述值的所述确定在所述第二几何参数的所述值的所述确定之后发生且至少部分基于所述第二几何参数的所述值。
6.根据权利要求1所述的混合度量系统,其中所述计算系统经进一步配置以在第二所关注参数的所述值的所述确定之前使所述第一几何参数重新参数化。
7.根据权利要求1所述的混合度量系统,其中所述计算系统经进一步配置以在所述第二所关注参数的所述值的所述确定之前变换所述第一几何参数的所述值。
8.根据权利要求1所述的混合度量系统,其中所述第二度量系统产生与包含裸片中度量目标的所述半导体晶片上的第二测量点的测量相关联的第三量的测量数据,其中所述计算系统经进一步配置以基于所述第三量的测量数据及所述第一几何参数和所述第二几何参数的所述值确定第三所关注参数的值。
9.一种混合度量系统,其包括:
第一度量系统,其经配置以产生与半导体晶片上的第一测量点相关联的第一量的测量数据,其中所述第一测量点包含通过多个几何参数特性化的图案化度量目标;及
第二度量系统,其不同于所述第一度量系统,其中所述第二度量系统产生与所述半导体晶片上的所述第一测量点相关联的第二量的测量数据;及
非暂时性计算机可读媒体,其包括指令,当通过计算系统执行所述指令时导致所述计算系统:
基于所述第一量的测量数据确定与所述图案化度量目标相关联的第一几何参数的值;
基于所述第二量的测量数据确定与所述图案化度量目标相关联的第二几何参数的值;
基于所述第一量的测量数据及所述第二几何参数的所述值确定第一所关注参数的值;及
基于所述第二量的测量数据及所述第一几何参数的所述值确定第二所关注参数的值。
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