[发明专利]用于产生在度量测量中使用的经编程缺陷的方法及系统

权利要求书

1.一种度量系统，其包括：

光刻工具，其经配置以在样本上形成包含在第一层中的第一阵列图案及在第二层中的第二阵列图案的多图案结构，其中在所述第一层中的所述第一阵列图案或在所述第二层中的所述第二阵列图案中的至少一者含有经编程缺陷以相对于所述第二阵列图案改变所述第一阵列图案的所述图案以将所述第一阵列图案与所述第二阵列图案区分开；

度量工具，其经配置以获取所述第一阵列图案及所述第二阵列图案的一或多个图像，所述一或多个图像具有含有所述经编程缺陷的视场；及

控制器，其包含一或多个处理器，其中所述一或多个处理器经配置以致使所述一或多个处理器执行存储器中所含有的一组程序指令，其中所述一组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器：

从所述度量工具接收包含所述经编程缺陷的所述第一阵列图案及所述第二阵列图案的所述一或多个图像；及

基于包含所述经编程缺陷的所述第一阵列图案和所述第二阵列图案的所述一或多个图像确定与所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者相关联的一或多个度量参数。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述确定与所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者相关联的一或多个度量参数包括：

确定所述第一阵列图案与所述第二阵列图案之间的叠对误差。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述确定与所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者相关联的一或多个度量参数包括：

确定所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者的临界尺寸CD。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述确定与所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者相关联的一或多个度量参数包括：

确定所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者的临界尺寸均匀性CDU。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述经编程缺陷包括：

突出缺陷、侵入缺陷、捏缩缺陷、间隙缺陷、针孔缺陷、弯曲缺陷或桥接缺陷中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述经编程缺陷形成于所述样本的切割道区域、虚拟填充区域或实际装置区域中的至少一者中。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述光刻工具包括：

极紫外EUV光刻工具或电子束光刻工具中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述度量工具包括：

扫描电子显微术SEM度量工具。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述样本包括：

半导体晶片。

10.一种光刻工具，其包括：

照射源；

掩模载台，其经配置以固定一或多个图案掩模；

样本载台，其经配置以固定样本；及

一组光学器件，其经配置以将照射从所述照射源引导到所述一或多个图案掩模，以将两个或两个以上图案从所述一或多个图案掩模投射到所述样本上，

其中所述一或多个图案掩模包含含有一或多个经编程缺陷的至少一个阵列图案，其中所述一或多个图案掩模经配置以在所述样本上形成在第一层中的第一阵列图案及在第二层中的第二阵列图案，其中所述第一阵列图案或所述第二阵列图案中的至少一者含有经编程缺陷以相对于所述第二阵列图案改变所述第一阵列图案的所述图案以将所述第一阵列图案与所述第二阵列图案区分开。

11.根据权利要求10所述的光刻工具，其进一步包括：

控制器。

12.根据权利要求11所述的光刻工具，其中所述控制器经配置以确定与所述第一阵列图案及所述第二阵列图案中的至少一者相关联的一或多个度量参数。