[发明专利]用于高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)的功率输送

权利要求书

1.一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：

远程设置的高电压源，所述远程设置的高电压源产生高电压信号；

脉冲发生器，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置；

第一屏蔽缆线，所述第一屏蔽缆线将所述高电压信号从所述远程设置的高电压源输送至所述脉冲发生器来加以脉冲；和

第二屏蔽缆线，所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从所述脉冲发生器输送至所述处理腔室。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述处理腔室位于洁净室中，并且所述高电压源位于子制造区(subfab)设施中。

3.如权利要求2所述的系统，其中所述子制造区设施包括在所述洁净室下方的空间(room)。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述脉冲发生器位于所述处理腔室的顶表面上。

5.如权利要求4所述的系统，其中来自所述脉冲发生器的所述脉冲高电压信号经由所述处理腔室内部的缆线输送到所述处理腔室。

6.如权利要求1所述的系统，其中所述第二屏蔽缆线包括低电感屏蔽缆线。

7.如权利要求1所述的系统，其中所述脉冲高电压信号被输送到所述处理腔室的靶材。

8.如权利要求1所述的系统，其中所述第一屏蔽缆线或所述第二屏蔽缆线中的至少一者包括标准DC缆线。

9.一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：

在远离所述处理腔室的位置处产生高电压信号；

将所述高电压信号输送到相对更靠近所述处理腔室的位置来加以脉冲；

对所输送的高电压信号加以脉冲；和

将脉冲高电压信号输送到所述处理腔室。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述高电压信号由位于子制造区设施中的高电压源产生。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述子制造区设施包括与洁净室分开的空间，所述处理腔室位于所述空间中。

12.如权利要求9所述的方法，其中脉冲发生器对所述高电压信号加以脉冲，所述脉冲发生器位于所述高电压源的位置与所述处理腔室的位置之间。

13.如权利要求9所述的方法，其中使用屏蔽缆线输送所述高电压信号来加以脉冲。

14.如权利要求9所述的方法，其中使用屏蔽缆线将脉冲高电压信号输送到所述处理腔室。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述屏蔽缆线包括低电感屏蔽缆线。