[发明专利]微机械薄膜锂铌酸锂电光装置

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

在铌酸锂膜上沉积第一抗蚀剂；

以第一图案在所述第一抗蚀剂上沉积第二抗蚀剂；

根据所述第一图案来图案化所述第一抗蚀剂；

蚀刻所述铌酸锂膜以将所述第一图案从所述第一抗蚀剂转移到所述铌酸锂膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述铌酸锂膜具有约1μm或更小的厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述铌酸锂膜具有约700nm或更小的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述铌酸锂膜具有约400nm或更小的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述铌酸锂膜设置在绝缘体上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述绝缘体的折射率小于所述铌酸锂膜的折射率。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述绝缘体包含二氧化硅。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述绝缘体设置在载体上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述载体包含铌酸锂。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述载体包含硅。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述载体包含石英。

12.根据权利要求8所述的方法，其中载体包含二氧化硅。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述载体包含蓝宝石。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂包含非晶硅。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂包含二氧化硅。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂包含氮化硅。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂包含氧化铝。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂包含二氧化钛。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂的硬度大于所述第二抗蚀剂的硬度。

20.根据权利要求1所述的方法，其中通过化学气相沉积来沉积所述第一抗蚀剂。

21.根据权利要求20所述的方法，其中通过等离子体增强化学气相沉积来沉积所述第一抗蚀剂。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂是p掺杂的。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一抗蚀剂具有约800nm的厚度。

24.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二抗蚀剂包含聚合物。

25.根据权利要求22所述的方法，其中所述聚合物包含可流动氧化物。

26.根据权利要求23所述的方法，其中所述聚合物包含FOX-16。

27.根据权利要求1所述的方法，其中通过旋涂来沉积所述第二抗蚀剂。