[发明专利]用于HVAC&R系统的变速驱动装置在审

专利信息
申请号: 201780061782.1 申请日: 2017-10-05
公开(公告)号: CN110326211A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 伊万·杰德瑞克;阿吉特·W·凯恩 申请(专利权)人: 江森自控科技公司
主分类号: H02P27/04 分类号: H02P27/04;H02P27/06;H02M5/458;F25B49/02
代理公司: 上海脱颖律师事务所 31259 代理人: 脱颖
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 变速驱动装置 碳化硅晶体管 压缩机 配置 制冷 加热 马达 通风 空调 驱动
【权利要求书】:

1.一种加热、通风、空调和制冷(HVAC&R)系统,包括:

变速驱动装置,被配置用于向被配置用于驱动所述HVAC&R系统的压缩机的马达提供电力;以及

所述变速驱动装置的碳化硅晶体管,其中,所述碳化硅晶体管被配置用于调整流过所述变速驱动装置的电力的电压、或频率或两者。

2.如权利要求1所述的系统,其中,所述变速驱动装置包括:

整流器,被配置用于接收来自AC电源的交流(AC)电力并且将所述AC电力转换为直流(DC)电力,其中,所述AC电力包括恒定电压和恒定频率;

DC总线,被配置用于接收来自所述整流器的所述DC电力;以及

逆变器,被配置用于接收来自所述DC总线的所述DC电力并且将所述DC电力转换为具有可变电压和可变频率的AC电力。

3.如权利要求2所述的系统,其中,所述碳化硅晶体管布置在所述整流器、或所述逆变器或两者中。

4.如权利要求2所述的系统,其中,从所述AC电源接收的所述AC电力为三相AC电力。

5.如权利要求1所述的系统,其中,所述碳化硅晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

6.如权利要求1所述的系统,包括:

所述压缩机,被配置用于使制冷剂循环通过所述HVAC&R系统的制冷剂环路;以及

热交换器,被配置用于将所述制冷剂置于与冷却用流体处于热连通。

7.如权利要求6所述的系统,包括膨胀装置,所述膨胀装置被配置用于减小流过所述HVAC&R系统的所述制冷剂环路的所述制冷剂的压力。

8.如权利要求1所述的系统,包括控制器,所述控制耦合至所述碳化硅晶体管并且被配置用于基于从所述马达、或所述压缩机或两者接收的反馈来调整所述碳化硅晶体管的状态。

9.如权利要求8所述的系统,其中,所述控制器被配置用于基于所述马达的速度、或所述压缩机的排放压力或两者来调整所述碳化硅晶体管的状态。

10.如权利要求9所述的系统,其中,所述控制器被配置用于基于所述马达的速度来调整所述碳化硅晶体管的状态。

11.一种系统,包括:

加热、通风、空调和制冷(HVAC&R)系统的压缩机,所述压缩机被配置用于使制冷剂循环通过制冷剂环路;

马达,被配置用于驱动所述HVAC&R系统的所述压缩机;

变速驱动装置,被配置用于向所述马达提供电力,其中,所述变速驱动装置包括整流器、直流(DC)总线、和逆变器;以及

布置在所述整流器、或所述逆变器或两者中的碳化硅晶体管,其中,所述碳化硅晶体管被配置用于调整所述变速驱动装置中的交流(AC)电力的电压、或频率或两者。

12.如权利要求11所述的系统,其中,所述整流器被配置用于接收来自AC电源的三相交流(AC)电力并且将所述三相AC电力转换为DC电力,其中,所述AC电力为恒定电压和恒定频率。

13.如权利要求12所述的系统,其中,所述DC总线被配置用于接收来自所述整流器的所述DC电力并且过滤或稳定所述DC电力。

14.如权利要求13所述的系统,其中,所述逆变器被配置用于接收来自所述DC总线的所述DC电力并且将所述DC电力转换为具有可变电压和可变频率的AC电力。

15.如权利要求11所述的系统,其中,所述碳化硅晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

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