[发明专利]导电结构及其制造方法

权利要求书

1.一种导电结构（100），其中所述导电结构（100）至少在一些区域由金属或类金属物质形成，在所述一些区域中形成多个闭孔（10），

其中所述多个闭孔不均衡地分布在所述导电结构中，使得所述多个闭孔仅位于所述导电结构的内部中心区域中，以及

其中所述多个闭孔（10）至少部分地具有各向异性定向，其中所述多个闭孔（10）中的至少一些闭孔（10）具有非圆形的横截面，所述非圆形的横截面的纵向轴线大体上沿导电方向（S）定向。

2.如权利要求1所述的结构（100），其中所述多个闭孔（10）至少部分地具有圆形的横截面。

3.如权利要求1所述的结构（100），其中所述多个闭孔（10）至少部分地具有非圆形的横截面。

4.如权利要求1所述的结构（100），其中所述结构（100）至少在所述多个闭孔的区域中具有至少2mm的厚度。

5.如权利要求1所述的结构（100），其中所述多个闭孔（10）不均匀地分布在所述结构（100）中。

6.如权利要求1所述的结构（100），其中所述多个闭孔（10）至少部分地具有各向异性定向，其中所述多个闭孔（10）中的至少一些闭孔（10）具有椭圆形的横截面，所述椭圆形的横截面的纵向轴线大体上沿所述导电方向（S）定向。

7.如权利要求1所述的结构（100），其中所述多个闭孔（10）中的至少一些闭孔（10）填充有真空、气体和/或聚合物。

8.如权利要求1所述的结构（100），其中所述多个闭孔（10）中的至少一些闭孔（10）填充有导电材料。

9.如权利要求8所述的结构（100），

其中所述导电材料包括金属和/或碳。

10.如权利要求8所述的结构（100），

其中所述导电材料包括金属和/或含碳物质。

11.如权利要求1所述的结构（100），

其中所述结构（100）包括第一组孔，所述第一组孔具有10μm至500μm的尺寸。

12.如权利要求1所述的结构（100），

其中所述结构（100）包括另一组孔，所述另一组孔具有至少为1mm的尺寸。

13.如权利要求1所述的结构（100），

其中所述结构（100）至少在一些区域具有至少5个孔/ cm ²的孔密度。

14.如权利要求1所述的结构（100），

其中所述结构（100）在所述多个闭孔（10）的区域中至少局部地由铅和/或铅合金制成。

15.如权利要求1所述的结构（100），

其中所述结构（100）至少在一些区域中形成为能量存储系统的汇流条、桥接器、电极栅极、或电极板的极和/或端子接线片。

16.如权利要求1所述的结构（100），其中所述结构（100）至少在所述多个闭孔的区域中具有至少5mm的厚度。

17.如权利要求1所述的结构（100），其中所述结构（100）至少在所述多个闭孔的区域中具有至少10mm的厚度。

18.如权利要求1所述的结构（100），其中所述结构（100）包括第一组孔，所述第一组孔具有50μm至300μm的尺寸。