[发明专利]快速斜坡低电源电荷泵电路

说明书

本文描述了快速斜坡、低电源电荷泵电路的技术。在示例实施例中，非易失性存储器设备包括耦合到快速电荷泵电路的闪存阵列。电荷泵电路包括第一电荷泵、作为输入耦合到第一电荷泵的激活的电荷泵、以及作为输入耦合到激活的电荷泵的电源。激活的电荷泵被配置为将第一电荷泵初始化为比电源更大的绝对电压，并且在闪存阵列的激活模式期间向第一电荷泵提供功率。

优先权

本申请是于2017年9月27日提交的第15/717,457号美国非临时申请的国际申请，其要求于2016年10月12日提交的第62/407,172号美国临时申请的优先权，其全部内容通过引用被并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及存储器设备，并且特别地涉及其中使用的电荷泵。

背景

诸如非易失性存储器的存储器设备广泛用于在计算设备中存储数据。为了执行存储器操作(例如，诸如读取、写入、编程和擦除操作)，存储器设备使用各种电源来向各种电路(诸如电压产生器和调节器)提供功率。在各种应用中，具有传统电源的电路可能遭受各种缺陷，其中之一是缓慢的斜坡(ramp)时间。为了实现更快的电路斜坡时间，一些存储器设备可以使用补充的电源，该电源被配置为即使在没有执行存储器操作的待机状态(standby)下也保持相当高的电压(例如，5V至10V)。然而，保持高待机电压是以高待机电流泄漏为代价的，这导致低效率的功率使用，这在一些电池供电的应用(例如，移动电话、平板电脑等)中可能是显著的缺点。此外，为了保持更高的待机电压，半导体芯片通常需要比普通电容器、晶体管和其他这类电子组件更大的电压，这导致较低效率的芯片布局。

附图简述

图1是示出了示例性电荷泵的框图。

图2A和图2B是示出了根据示例实施例的具有激活的(active)电荷泵的快速电荷泵电路的框图。

图3是示出了根据示例实施例的用于非易失性存储器(NVM)设备的快速电荷泵电路的框图。

图4是示出了根据示例实施例的激活的电荷泵的操作的状态图。

图5是示出了根据一些实施例的示例NVM的一部分的框图。

图6示出了不同电荷泵的斜坡上升(ramp-up)电压波形的比较图。

详细描述

下面的描述阐述很多具体的细节，诸如具体的系统、组件、方法等的示例，以便提供对于本文描述的关于快速斜坡、低电源电荷泵电路的技术的各种实施例的良好理解。然而对本领域的技术人员将明显的是至少一些实施例可在没有这些具体细节的情况下被实施。在其他实例中，未详细描述或以简单框图形式呈现众所周知的组件或方法，以便避免不必要地模糊本文所描述的技术。因此，在下文中阐述的特定细节仅仅是示例性的。特定的实施方式可根据这些示例性细节而变化，并且仍然被设想为在本发明的精神和范围内。

在描述中对“实施方式”、“一个实施方式”、“示例实施方式”、“一些实施方式”和“各种实施方式”的引用意味着结合实施方式所描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施方式中。此外，在描述中的各处出现的短语“实施例”、“一个实施例”、“示例实施例”、“一些实施例”和“各种实施例”并不一定都指相同的实施例。

描述包括对附图的引用，附图形成详细描述的一部分，并且其中相似的附图标记可以指的是相似的组件或操作。附图显示根据示例性实施例的图示。在本文中也可被称为“示例”的这些实施例被足够详细地描述，以使本领域的技术人员能够实施在本文描述的要求保护的主题的实施例。在不偏离要求保护的主题的范围和精神的情况下，可将实施例组合，可利用其他实施例，或可做出结构的、逻辑的和电气的改变。应当理解，本文描述的实施例并不旨在限制描述的主题的范围，而是使本领域的技术人员能够实施、完成和/或使用这样的主题。