[发明专利]研磨液组合物有效
| 申请号： | 201780060793.8 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109831914B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 土居阳彦;大山翼 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/3105;B24B37/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 | ||
1.一种研磨液组合物，其含有氧化铈粒子A、寡糖B及水，
所述寡糖B是包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖。
2.根据权利要求1所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的结构单元仅为葡萄糖。
3.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其用于氧化硅膜的研磨。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B是选自龙胆寡糖、异麦芽寡糖、麦芽寡糖及黑曲霉寡糖中的至少1种。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量为0.1质量％以上且2.5质量％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量相对于氧化铈粒子A的含量之比B/A为0.01以上且20以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的研磨液组合物，其还含有：具有阴离子性基团的化合物C。
8.根据权利要求7所述的研磨液组合物，其中，化合物C为一元羧酸。
9.根据权利要求8所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自乙酰丙酸、丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸及甲酸中的至少1种。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的研磨液组合物，其pH值为4.0以上且小于9.0。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的研磨液组合物，其由粒子A混合在水中而成的第一液体以及寡糖B混合在水中而成的第二液体构成，在使用时将第一液体与第二液体进行混合。
12.一种半导体基板的制造方法，其包括：使用权利要求1～11中任一项所述的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤。
13.一种基板的研磨方法，其包括：使用权利要求1～11中任一项所述的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤，所述被研磨基板是用于制造半导体基板的基板。
14.权利要求1～11中任一项所述的研磨液组合物的用于制造半导体基板的用途。
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