[发明专利]分层装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201780058680.4 | 申请日: | 2017-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN109791988A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
| 发明(设计)人: | M·韦利迈基;T·里特沃宁 | 申请(专利权)人: | 芬兰国家技术研究中心股份公司 |
| 主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/52 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡利鸣;陈斌 |
| 地址: | 芬兰埃*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电层 图案化导电层 第一导电层 基板 源层 分层装置 电接触 电绝缘 延伸 制造 | ||
1.一种分层装置(150),所述分层装置(150)包括:
基板(100),
在所述基板(100)上并与所述基板(100)接触的第一导电层(102),
与所述第一导电层(102)接触的第二图案化导电层(104),
第三导电层(112),
与所述第一导电层(102)、所述第二图案化导电层(104)和所述第三导电层(112)电绝缘的第四导电层(114),其特征在于,
在所述第一导电层(102)和所述第四导电层(114)之间的操作性有源层结构(110A)包括至少一个非图案化层(106、108、110);以及所述第二图案化导电层(104)被配置成延伸跨越所述操作性有源层结构(110A)穿过操作性有源层结构(110A)的所述至少一个非图案化(106、108、110)层,以便具有与所述第三导电层(112)的电接触。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有源层结构(110A)包括非图案化的非导电层(106)和/或至少一个中间层(110),以及所述第二图案化导电层(104)的顶部部分(104A)处的高度变化被配置成大于所述至少一个中间层(110)、有源层(108)和/或所述至少一个非图案化的非导电层(106)中的至少一者的最大厚度。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)的最大厚度被配置成在0.1μm至20μm的范围之间,所述非图案化的非导电层(106)的最大厚度被配置成在1nm至200nm的范围之间。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述操作性有源层结构(110A)的所述中间层(110)被配置为具有比所述图案化导电层(104)低的导电率。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)被印刷或蚀刻以在顶部部分(104A)处具有期望的高度变化。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)被配置成穿透每个非图案化层(106、108、110、110A)。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有源层(110A)被配置成具有比所述第二图案化导电层(104)低的导电率。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第四导电层(114)被配置成包括至少一个导电子层(114A、114B)。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)比所述操作性有源层结构(110A)厚,并且所述第二图案化导电层(104)的顶部部分(104A)被配置成延伸跨越所述操作性有源层结构(110A)。
10.一种用于制造分层装置的方法,所述方法包括:
形成(300)与基板(100)的分层结构(150)接触的第一导电层(102),其特征在于:
通过将第二图案化导电层(104)印刷在所述第一图案化导电层(102)上并与所述第一图案化导电层(102)接触来形成所述第二图案化导电层(104);
将有源层结构(110A)形成(304)在所述第一导电层(102)上,并与所述第一导电层(102)接触,所述第二图案化导电层(104)延伸跨越所述操作性有源层结构(110A)穿过操作性有源层结构(110A)的所述至少一个非图案化(106、108、110)层,以便具有与所述第三导电层(112)的电接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芬兰国家技术研究中心股份公司,未经芬兰国家技术研究中心股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780058680.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





