[发明专利]分层装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201780058680.4 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN109791988A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: M·韦利迈基;T·里特沃宁 申请(专利权)人: 芬兰国家技术研究中心股份公司
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/52
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡利鸣;陈斌
地址: 芬兰埃*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 导电层 图案化导电层 第一导电层 基板 源层 分层装置 电接触 电绝缘 延伸 制造
【权利要求书】:

1.一种分层装置(150),所述分层装置(150)包括:

基板(100),

在所述基板(100)上并与所述基板(100)接触的第一导电层(102),

与所述第一导电层(102)接触的第二图案化导电层(104),

第三导电层(112),

与所述第一导电层(102)、所述第二图案化导电层(104)和所述第三导电层(112)电绝缘的第四导电层(114),其特征在于,

在所述第一导电层(102)和所述第四导电层(114)之间的操作性有源层结构(110A)包括至少一个非图案化层(106、108、110);以及所述第二图案化导电层(104)被配置成延伸跨越所述操作性有源层结构(110A)穿过操作性有源层结构(110A)的所述至少一个非图案化(106、108、110)层,以便具有与所述第三导电层(112)的电接触。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有源层结构(110A)包括非图案化的非导电层(106)和/或至少一个中间层(110),以及所述第二图案化导电层(104)的顶部部分(104A)处的高度变化被配置成大于所述至少一个中间层(110)、有源层(108)和/或所述至少一个非图案化的非导电层(106)中的至少一者的最大厚度。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)的最大厚度被配置成在0.1μm至20μm的范围之间,所述非图案化的非导电层(106)的最大厚度被配置成在1nm至200nm的范围之间。

4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述操作性有源层结构(110A)的所述中间层(110)被配置为具有比所述图案化导电层(104)低的导电率。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)被印刷或蚀刻以在顶部部分(104A)处具有期望的高度变化。

6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)被配置成穿透每个非图案化层(106、108、110、110A)。

7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有源层(110A)被配置成具有比所述第二图案化导电层(104)低的导电率。

8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第四导电层(114)被配置成包括至少一个导电子层(114A、114B)。

9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二图案化导电层(104)比所述操作性有源层结构(110A)厚,并且所述第二图案化导电层(104)的顶部部分(104A)被配置成延伸跨越所述操作性有源层结构(110A)。

10.一种用于制造分层装置的方法,所述方法包括:

形成(300)与基板(100)的分层结构(150)接触的第一导电层(102),其特征在于:

通过将第二图案化导电层(104)印刷在所述第一图案化导电层(102)上并与所述第一图案化导电层(102)接触来形成所述第二图案化导电层(104);

将有源层结构(110A)形成(304)在所述第一导电层(102)上,并与所述第一导电层(102)接触,所述第二图案化导电层(104)延伸跨越所述操作性有源层结构(110A)穿过操作性有源层结构(110A)的所述至少一个非图案化(106、108、110)层,以便具有与所述第三导电层(112)的电接触。

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