[发明专利]薄膜用支承框和薄膜及其制造方法

说明书

本发明提供一种薄膜用支承框(1)及使用有该薄膜用支承框的薄膜(8)以及其有效的制造方法，所述薄膜用支承框兼备低扬尘性和高耐光性，并且即使将短波长激光用于曝光光源的情况下，也至不生成烟雾的程度将离子洗脱量降低至极限。本发明涉及一种薄膜用支承框，其特征在于，具有：由铝或铝合金构成的框架材料(2)、形成于该框架材料的表面的阳极氧化皮膜(4)、和形成于该阳极氧化皮膜的表面的氟树脂涂层(6)。

技术领域

本发明涉及一种在LSI及超LSI等半导体装置及液晶面板的制造中防止在光刻工序中所使用的光掩模或光罩上附着异物的薄膜用支承框和薄膜及其制造方法，更具体而言，涉及一种将离子洗脱量降低至极限的薄膜用支承框和薄膜及其制造方法。

背景技术

LSI及超LSI等半导体装置或液晶面板通过对半导体晶片或液晶用原版照射光而形成图案(利用光刻而形成图案)。在此，在使用附着有尘土的曝光原版的情况下，该尘土会吸收和/或反转光，因此，不能良好地转印图案(例如，图案的变形或边缘的不清楚)。其结果，存在损害半导体装置或液晶面板的品质及外观等，从而产生性能或成品率的降低的问题。

因此，与光刻有关的工序通常在清洁室内进行，但即使在该环境下，也不能完全防止尘土附着于曝光原版，因此，通常在曝光原版的表面设置用于防尘的薄膜。薄膜由薄膜框及铺设于该薄膜框的薄膜构成，以包围形成于曝光原版的表面的图案区域的方式设置。如果在光刻时使焦点对准于曝光原版的图案上，则即使在薄膜上附着有尘土的情况下，该尘土也不会对转印产生影响。

近年来，LSI的图案迅速地进行微细化，与其相应，曝光光源的短波长化一直在进行。具体而言，从迄今为止成为主流的利用汞灯的g线(波长：436nm)、i线(波长：365nm)向KrF准分子激光(波长：248nm)、ArF准分子激光(波长：193nm)及F₂准分子激光(波长：157nm)等转移。

这些短波长的曝光光源为高输出，光的能量高，因此，在形成薄膜的铝材的表面的阳极氧化皮膜中残留硫酸或磷酸等无机酸时，存在与残留于曝光气氛中的氨等碱性物质反应而形成硫酸铵等反应产物(烟雾)，该反应产物在薄膜中产生模糊而对图案转印图像带来影响的问题。

与此相对，例如在专利文献1(日本特开2010-237282号公报)中，公开有一种薄膜用支承框的制造方法，是以由铝或铝合金构成的铝材形成，并且具备光学薄膜体而作为薄膜使用的薄膜用支承框的制造方法，其特征在于，通过使用了含有酒石酸的碱性水溶液的阳极氧化处理而在铝材的表面形成阳极氧化皮膜，使用有机系染料进行染色处理之后，利用水蒸气进行封孔处理。

在上述专利文献1中记载的薄膜用支承框的制造方法中，不使用作为烟雾的最大原因物质的硫酸，而使用含有酒石酸的碱性水溶液将铝材进行阳极氧化，由此可以得到耐腐蚀性及耐久性优异、并且尽可能地降低了烟雾的产生的薄膜用支承框。

另外，在专利文献2(日本特开平07-43892号公报)中，公开有一种薄膜，其特征在于，在薄膜框的侧面或整个面上利用电泳涂装法涂覆涂料而成。

在上述专利文献2中记载的薄膜中，由于在薄膜框的侧面或整个面上用电泳涂装法涂覆涂料，因此，该涂膜不是防蚀铝层那样的凹凸或多孔质，涂覆表面均匀且光滑，因此，可以完全地防止薄膜的运输或移动产生的扬尘。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-237282号公报

专利文献2：日本特开平07-43892号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，即使在通过上述专利文献1中记载的薄膜用支承框的制造方法而得到的薄膜用支承框中，也不能完全抑制离子的洗脱，关于近来的半导体制造等中所需的微细图案的形成，进一步要求离子洗脱量的降低。