[发明专利]用于非易失性存储器设备操作的方法、系统和设备有效

专利信息
申请号: 201780057536.9 申请日: 2017-10-12
公开(公告)号: CN109844863B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 施德哈尔萨·达斯;姆迪特·巴尔加瓦;格伦·阿诺德·罗森代尔 申请(专利权)人: ARM有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 林强
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 非易失性存储器 设备 操作 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种用于非易失性存储器设备操作的设备,包括:

一个或多个第一非易失性存储器元件,所述一个或多个非易失性存储器元件中的至少一个非易失性存储器元件包括耦合到位线的第一端子和耦合到节点的第二端子;

感测电压源,所述感测电压源通过负载耦合到所述第一端子;以及

电路,所述电路通过所述位线耦合到所述第一端子,以至少部分地基于所述位线上的信号来检测所述一个或多个第一非易失性存储器元件的阻抗状态是低阻抗状态还是高阻抗状态,

其中,在所述一个或多个第一非易失性存储器元件中的所述至少一个非易失性存储器元件处于所述低阻抗状态的情况下,所述负载包括至少与所述一个或多个第一非易失性存储器元件中的所述至少一个非易失性存储器元件的第一端子和第二端子之间的阻抗一样大的阻抗。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二端子通过导电元件耦合到所述节点,其中所述导电元件被配置为响应于字线上的信号而将所述第二端子连接到所述节点。

3.根据权利要求1或2所述的设备,其中所述负载包括由相关电子材料形成的一个或多个器件。

4.根据权利要求1或2所述的设备,其中所述负载包括串联连接的一个或多个第二相关电子开关CES。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的设备,其中所述负载至少包括跨场效应晶体管的源极端子和漏极端子的负载。

6.根据权利要求4所述的设备,其中所述CES维持在导电或低阻抗状态。

7.根据前述权利要求1或2所述的设备,其中所述一个或多个非易失性存储器元件中的所述至少一个非易失性存储器元件能够被置于高阻抗或绝缘状态,或被置于低阻抗或导电状态。

8.根据权利要求7所述的设备,其中所述负载包括电阻,其中所述电阻大于所述一个或多个非易失性存储器元件中的所述至少一个非易失性存储器元件的电阻。

9.根据前述权利要求1或2所述的设备,其中通过所述位线耦合到所述第一端子的所述电路被配置为至少部分地基于所述位线的电压来检测所述阻抗状态。

10.根据权利要求9所述的设备,还包括至少部分地基于所述阻抗状态来选择性地将所述位线耦合到所述节点的导电元件。

11.一种用于非易失性存储器设备操作的方法,包括:

将非易失性存储器元件的第一端子耦合到位线上的节点,所述位线上的节点通过负载耦合到电压源,所述非易失性存储器元件的第二端子耦合到参考节点;以及

至少部分地基于所述节点处的电压来检测所述非易失性存储器元件的阻抗状态是低阻抗状态还是高阻抗状态,

其中,在所述非易失性存储器元件处于所述低阻抗状态的情况下,所述负载包括至少与所述非易失性存储器元件的第一端子和第二端子之间的阻抗一样大的阻抗。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述非易失性存储器元件是至少部分地响应于字线上的电压而从多个非易失性存储器元件中选择的。

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