[发明专利]可配置混频器有效
申请号: | 201780057522.7 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN109716665B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | K·崔;曾益;金洪勋;S·武杰西克;C·D·帕特尔;A·M·塔西克;T·D·盖茨曼;W-H·陈;K·范扎琳格 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H04B1/10 | 分类号: | H04B1/10;H03D7/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配置 混频器 | ||
1.一种可配置混频器,包括:
第一晶体管对,被配置为将第一信号乘以第一差分信号;
第二晶体管对,被配置为将第二信号乘以所述第一差分信号;以及
第一开关集合,被配置为至少部分地基于所述可配置混频器的操作模式,来选择性地将所述第二晶体管对的相应栅极端子耦合到地电位。
2.根据权利要求1所述的可配置混频器,还包括:
第二开关集合,被配置为至少部分地基于所述可配置混频器的所述操作模式,来选择性地将所述第一差分信号提供给所述第二晶体管对的所述栅极端子。
3.根据权利要求2所述的可配置混频器,还包括:
开关,被配置为选择性地将所述第二晶体管对中的每个晶体管的漏极端子、或源极端子、或其组合中的至少一项耦合到所述地电位。
4.根据权利要求3所述的可配置混频器,其中所述开关的操作至少部分地基于所述可配置混频器的所述操作模式。
5.根据权利要求2所述的可配置混频器,还包括:
开关,被配置为选择性地将所述第二晶体管对中的每个晶体管的漏极端子、或源极端子、或其组合中的至少一项耦合到所述第二信号。
6.根据权利要求5所述的可配置混频器,其中所述可配置混频器作为双平衡混频器进行操作,并且所述第二信号与所述可配置混频器隔离。
7.根据权利要求2所述的可配置混频器,其中所述可配置混频器当被配置在第一操作模式中时作为单平衡混频器进行操作,并且当被配置在第二操作模式中时作为双平衡混频器进行操作。
8.根据权利要求7所述的可配置混频器,其中当被配置在所述第一操作模式中时,所述第一开关集合闭合并且所述第二开关集合断开,并且当被配置在所述第二操作模式中时,所述第一开关集合断开并且所述第二开关集合闭合。
9.根据权利要求1所述的可配置混频器,其中所述第一差分信号是差分本地振荡器(LO)信号。
10.根据权利要求1所述的可配置混频器,其中所述可配置混频器被包括在模拟前端中。
11.根据权利要求10所述的可配置混频器,其中所述模拟前端包括低噪声放大器(LNA)和被配置为从所述LNA接收LNA输出信号的跨导放大器,其中所述第一信号包括来自所述跨导放大器的第一信号,并且所述第二信号包括来自所述跨导放大器的第二信号。
12.根据权利要求10所述的可配置混频器,其中所述模拟前端还包括控制器,所述控制器用于根据所述操作模式来生成模式控制信号。
13.根据权利要求12所述的可配置混频器,其中所述第一开关集合响应于所述模式控制信号进行操作。
14.一种操作包括可配置混频器的模拟前端的方法,所述方法包括:
选择所述模拟前端的操作模式;
通过第一晶体管对将第一信号乘以第一差分信号;以及
至少部分地基于所选择的操作模式,来选择性地激活耦合到第二晶体管对的栅极端子的第一开关集合。
15.根据权利要求14所述的方法,其中选择性地激活所述第一开关集合包括:
当第一操作模式被选择时,闭合所述第一开关集合以将所述第二晶体管对的所述栅极端子耦合到地电位。
16.根据权利要求15所述的方法,其中选择性地激活所述第一开关集合包括:
当第二操作模式被选择时,断开所述第一开关集合以将所述第二晶体管对的所述栅极端子从所述地电位解耦。
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