[发明专利]氧化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体装置，其具有由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体构成的活性层区域，该氧化物半导体装置的特征在于，具备在以数密度为1×10¹⁶～1×10²⁰cm^-3的范围内含有选自第4族元素的钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)或第14族元素的碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)中的元素的所述活性层区域。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体装置，其特征在于，

所述活性层区域为照射波长400nm以下的激光而进行退火的区域。

3.一种氧化物半导体装置的制造方法，所述氧化物半导体装置具有由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体构成的活性层区域，该氧化物半导体装置的制造方法的特征在于，具有：

对所述活性层区域以数密度为1×10¹⁶～1×10²⁰cm^-3的范围内离子注入选自第4族元素的钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)或第14族元素的碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)中的元素的工序；及

对离子注入后的所述活性层区域照射波长400nm以下的激光而进行退火的工序。