[发明专利]具有被耦合的退化电阻和电容的可变增益放大器

权利要求书

1.一种用于补偿信号衰减的系统，包括：

放大器，包括：

第一输入晶体管；

第一负载，被耦合在所述第一输入晶体管的漏极与电源电压之间；

第二输入晶体管；

第二负载，被耦合在所述第二输入晶体管的漏极与所述电源电压之间；

可变电阻器，被耦合在所述第一输入晶体管的源极与所述第二输入晶体管的源极之间；以及

可变电容器，被耦合在所述第一输入晶体管的所述源极与所述第二输入晶体管的所述源极之间；以及

控制器，被配置为调节所述可变电阻器的电阻以调节针对低于所述放大器的零位置的频率的所述放大器的低频增益，并且在与对所述可变电阻器的所述电阻的所述调节的相反的方向上调节所述可变电容器的电容，使得如果所述可变电阻器的所述电阻被增加，则所述可变电容器的所述电容被减小，以及如果所述可变电阻器的所述电阻被减小，则所述可变电容器的所述电容被增加，以便减小所述可变电阻器的电阻值R和所述可变电容器的电容值C的RC乘积的变化。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述可变电阻器包括场效应晶体管FET电阻器，并且所述控制器被配置为通过调节被施加到所述FET电阻器的栅极的第一控制电压来调节所述可变电阻器的所述电阻。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述可变电容器包括一个或多个基于电压的电容器，并且所述控制器被配置为通过调节被施加到所述一个或多个基于电压的电容器的第二控制电压来调节所述可变电容器的所述电容。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制器被配置为在相同的方向上调节所述第一控制电压和所述第二控制电压。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述控制器被配置为：

如果所述第一控制电压被增加，则增加所述第二控制电压，以及

如果所述第一控制电压被减小，则减小所述第二控制电压。

6.根据权利要求3所述的系统，其中所述控制器包括：

低频增益选择器，被配置为输出指示多个不同频率增益设置中的所选择的频率增益设置的选择信号；

第一数模转换器DAC，被配置为接收所述选择信号，并且根据所述多个不同的低频增益设置中的所选择的低频增益设置来设置所述第一控制电压的电压电平；以及

第二DAC，被配置为接收所述选择信号，并且根据所述多个不同的低频增益设置中的所选择的低频增益设置来设置所述第二控制电压的电压电平。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述第一控制电压被输入到所述第二DAC以为所述第二DAC供电。

8.根据权利要求3所述的系统，其中所述一个或多个基于电压的电容器中的每个基于电压的电容器包括FET，所述FET具有被配置为接收所述第二控制电压的栅极、以及源极和漏极，所述源极和漏极被绑定在一起、并且被耦合到所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管中的一个输入晶体管的所述源极。

9.根据权利要求2所述的系统，其中所述可变电容器包括一个或多个基于电压的电容器，并且所述第一控制电压也被施加到所述一个或多个基于电压的电容器以调节所述可变电容器的电容。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述一个或多个基于电压的电容器中的每个基于电压的电容器包括FET，所述FET具有被配置为接收所述第一控制电压的栅极、以及源极和漏极，所述源极和漏极被绑定在一起、并且被耦合到所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管中的一个输入晶体管的所述源极。