[发明专利]采用介电材料层以向沟道区域施加应力的鳍式场效应晶体管(FET)(FINFET)

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管(FET)(FinFET)，包括：

衬底；

鳍，设置在所述衬底之上，所述鳍包括：

源极；

漏极；和

沟道区域，设置在所述源极和所述漏极之间；

栅极，设置在所述沟道区域周围；

第一介电材料层，设置在所述衬底之上且与所述鳍的第一侧相邻，其中所述第一介电材料层向所述沟道区域施加应力；以及

第二介电材料层，设置在所述衬底之上且与所述鳍的不同于所述第一侧的第二侧相邻，其中所述第二介电材料层向所述沟道区域施加应力。

2.根据权利要求1所述的FinFET，还包括：环绕所述FinFET的有源层的有源区边界，其中所述第一介电材料层和所述第二介电材料层均设置在所述有源区边界内。

3.根据权利要求1所述的FinFET，其中：

所述第一介电材料层的顶面低于所述鳍的顶面；并且

所述第二介电材料层的顶面低于所述鳍的顶面。

4.根据权利要求1所述的FinFET，其中：

所述FinFET包括N型FinFET；并且

所述第一介电材料层和所述第二介电材料层包括一种或多种氧化物材料，使得所述第一介电材料层和所述第二介电材料层向所述沟道区域施加拉伸应力。

5.根据权利要求1所述的FinFET，其中：

所述FinFET包括P型FinFET；并且

所述第一介电材料层和所述第二介电材料层包括一种或多种氧化物材料，使得所述第一介电材料层和所述第二介电材料层向所述沟道区域施加压缩应力。

6.根据权利要求1所述的FinFET，还包括：

第二鳍，设置在所述衬底之上并且基本平行于所述鳍，所述第二鳍包括：

源极；

漏极；和

沟道区域，设置在所述第二鳍的源极和漏极之间；

栅极，设置在所述第二鳍的沟道区域周围；以及

第三介电材料层，设置在所述衬底之上且与所述第二鳍的第二侧相邻，其中：

所述第三介电材料层向所述第二鳍的沟道区域施加应力；并且

所述第二介电材料层设置在所述衬底之上并且与所述第二鳍的与第二侧不同的第一侧相邻，使得所述第二介电材料层向所述第二鳍的沟道区域施加应力。

7.根据权利要求6所述的FinFET，还包括：环绕所述FinFET的有源层的有源区边界，其中所述第一介电材料层、所述第二介电材料层和所述第三介电材料层均设置在所述有源区边界内。

8.根据权利要求7所述的FinFET，其中所述鳍和所述第二鳍之间的距离近似等于32纳米(nm)。

9.根据权利要求1所述的FinFET，集成在集成电路(IC)中。

10.根据权利要求1所述的FinFET，集成到从由以下设备组成的组中选择的设备中：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、全球定位系统(GPS)设备、移动电话、蜂窝电话、智能手机、会话初始协议(SIP)电话、平板电脑、平板手机、服务器、计算机、便携式计算机、移动计算设备、可佩戴计算设备(例如，智能手表、健康或健身跟踪器、眼镜等)、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机显示器、电视、调谐器、收音机、卫星广播设备、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频光盘(DVD)播放器、便携式数字视频播放器、汽车、车辆部件、航空电子系统、无人机和多旋翼直升机。