[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置有效
申请号: | 201780055600.X | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN109690942B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 谷口康政 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴云龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 高频 前端 电路 以及 通信 | ||
1.一种弹性波装置,具备:
压电体;以及
IDT电极,设置在所述压电体上,
所述IDT电极具有:第一汇流条以及第二汇流条,相互对置;多个第一电极指,一端与所述第一汇流条连接;以及多个第二电极指,一端与所述第二汇流条连接,且与所述多个第一电极指相互交替插入,所述IDT电极具有:第一端部区域,包括弹性波传播方向上的一端部;第二端部区域,包括弹性波传播方向上的另一端部;以及内侧区域,位于比所述第一端部区域以及所述第二端部区域靠弹性波传播方向内侧,所述IDT电极具有作为所述第一电极指和所述第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的部分的交叉区域,在将所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向设为长度方向的情况下,所述IDT电极具有:中央区域,至少在所述内侧区域中的所述交叉区域中,位于所述长度方向中央侧;以及第一低声速区域和第二低声速区域,配置在所述中央区域的所述长度方向两侧,且声速与所述中央区域相比为低速,所述IDT电极具有:第一高声速区域,位于所述第一汇流条与所述第一低声速区域之间,且声速与所述中央区域相比为高速;以及第二高声速区域,位于所述第二汇流条与所述第二低声速区域之间,且声速与所述中央区域相比为高速,
所述第一端部区域的所述交叉区域中的所述IDT电极的质量和/或所述第二端部区域的所述交叉区域中的所述IDT电极的质量小于所述内侧区域的所述交叉区域中的所述IDT电极的质量。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述IDT电极在所述内侧区域、所述第一端部区域以及所述第二端部区域中的所述交叉区域中具有所述中央区域、所述第一低声速区域、以及所述第二低声速区域。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,
所述第一端部区域和/或所述第二端部区域中的所述中央区域的占空比小于所述内侧区域中的所述中央区域的占空比。
4.根据权利要求2所述的弹性波装置,其中,
所述第一端部区域和/或所述第二端部区域中的所述中央区域中所述第一低声速区域附近以及所述第二低声速区域附近的占空比小于所述内侧区域中的所述中央区域的占空比。
5.根据权利要求2~4中的任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述IDT电极中,所述第一端部区域和/或所述第二端部区域中的所述中央区域的占空比随着朝向弹性波传播方向外侧而逐渐变小。
6.根据权利要求2~5中的任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述IDT电极中,所述第一端部区域以及所述第二端部区域中的所述第一低声速区域的占空比以及所述第二低声速区域的占空比大于所述第一端部区域以及所述第二端部区域中的所述中央区域的占空比。
7.根据权利要求2~6中的任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述多个第一端部区域以及所述第二端部区域中的位于所述第一低声速区域以及所述第二低声速区域的部分,层叠有质量附加膜。
8.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述IDT电极具有:多个第一虚设电极指,一端与所述第一汇流条连接,隔着缝隙与所述多个第二电极指对置,且配置在所述第一端部区域和/或所述第二端部区域;以及多个第二虚设电极指,一端与所述第二汇流条连接,隔着缝隙与所述多个第一电极指对置,且配置在所述第一端部区域和/或所述第二端部区域,
在所述第一端部区域以及所述第二端部区域未配置所述第一低声速区域以及所述第二低声速区域。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置,其中,
在从弹性波传播方向观察的情况下,所述多个第一电极指与所述多个第二虚设电极指之间的缝隙和所述内侧区域中的所述交叉区域重叠,
在从弹性波传播方向观察的情况下,所述多个第二电极指与所述多个第一虚设电极指之间的缝隙和所述内侧区域中的所述交叉区域重叠。
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