[发明专利]用于低损坏率和高处理量等离子体处理的大面积VHF PECVD腔室

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室，包括：

扩散器；

背板，耦接到所述扩散器，其中所述背板在所述背板的中心处具有开口以用于气体馈送装置；

至少一个磁性铁氧体块，设置在所述背板与盖板之间的间隙中；

第一VHF功率发生器，在距所述背板的中心第一半径处并且在第一方位角处耦接到所述背板；

第二VHF功率发生器，在距所述背板的所述中心第二半径处并且在第二方位角处耦接到所述背板；

第三VHF功率发生器，在距所述背板的所述中心第三半径处并且在第三方位角处耦接到所述背板；

第四VHF功率发生器，在距所述背板的所述中心第四半径处并且在第四方位角处耦接到所述背板；和

控制器，操作性地连接到所述等离子体处理腔室，其中所述控制器被编程为控制所述第一VHF功率发生器、所述第二VHF功率发生器、所述第三VHF功率发生器和所述第四VHF功率发生器的操作。

2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述背板耦接到所述等离子体处理腔室的盖。

3.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述控制器被编程为经由自动匹配来控制所述第一VHF功率发生器、所述第二VHF功率发生器、所述第三VHF功率发生器和所述第四VHF功率发生器在第一频率下的操作，并且所述第一频率在30MHz与70MHz之间。

4.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述控制器进一步被编程为执行相位调制和扫描。

5.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第二VHF功率发生器和所述第四VHF功率发生器各自产生在30MHz与70MHz之间的频率的功率；并且所述第二VHF功率发生器被配置为提供与所述第四VHF功率发生器所提供的功率异相的功率。

6.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第一VHF功率发生器和所述第三VHF功率发生器各自产生与所述第二VHF功率发生器和所述第四VHF功率发生器的频率不同的频率的功率。

7.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述第一VHF功率发生器被配置为提供与所述第三VHF功率发生器所提供的功率异相的功率。

8.一种等离子体处理腔室，包括：

扩散器；

背板，耦接到所述扩散器，其中所述背板在所述背板的中心处具有开口以用于气体馈送装置；

多个VHF功率发生器，其中每个VHF功率发生器在设置成靠近所述背板的边缘的位置处耦接到所述背板；和

至少一个磁性铁氧体块，耦接到所述背板，其中所述至少一个磁性铁氧体块设置在所述背板与盖板之间的间隙中。

9.如权利要求8所述的等离子体处理腔室，进一步包括：

控制器，操作性地连接到所述等离子体处理腔室，其中所述控制器被编程为控制所述每个VHF功率发生器的操作，并且所述控制器进一步被编程为执行相位调制和扫描。