[发明专利]蓄电元件和蓄电元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780054997.0 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN109844999B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 下川亮介;加古智典;伊藤祥太;川口和辉 申请(专利权)人: 株式会社杰士汤浅国际
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01G11/24;H01G11/86;H01M4/139;H01M4/36;H01M4/525
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 元件 制造 方法
【说明书】:

本发明提供可提高低温下的输出性能的蓄电元件。本实施方式中,提供一种蓄电元件,其具备具有活性物质层的电极,活性物质层至少含有活性物质粒子,活性物质层所含有的粒子的基于体积标准的粒径频度分布具有第1峰和在比该第1峰粒径大的一侧出现的第2峰,在粒径频度分布中,将在第1峰和第2峰之间频度变为极小的粒径作为Dx时,粒径为Dx以下的粒子的体积比例相对于活性物质层所含有的全部粒子的体积为49%~62%。

技术领域

本发明涉及锂离子二次电池等蓄电元件及其制造方法。

背景技术

以往,已知具备电极的锂离子二次电池,上述电极具有集电体和含有活性物质粒子的活性物质层(例如,专利文献1)。

专利文献1记载的电池中,活性物质层含有单斜晶系β型钛复合氧化物粒子和尖晶石结构的钛酸锂粒子。专利文献1记载的电池中,通过激光衍射散射方式测定活性物质层所含有的粒子的粒径的频度分布时,在0.3μm~3μm的范围出现第1峰P1,在5μm~20μm的范围出现第2峰P2,第1峰P1的频度FP1相对于第2峰P2的频度FP2的比FP1/FP2为0.4~2.3。

专利文献1记载的电池中,有时低温下的输出性能不充分,期望可提高低温下的输出性能的蓄电元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2013-105703号公报。

发明内容

本实施方式的课题在于提供可提高低温下的输出性能的蓄电元件。另外,还以提供该蓄电元件的制造方法为课题。

本实施方式的蓄电元件具备具有活性物质层的电极,活性物质层至少含有活性物质粒子,活性物质层所含有的粒子的基于体积标准的粒径频度分布具有第1峰和在比该第1峰粒径大的一侧出现的第2峰,在粒径频度分布,将在第1峰和第2峰之间频度变为极小的粒径作为Dx时,粒径为Dx以下的粒子的体积比例相对于活性物质层所含有的全部粒子的体积为49%~62%。通过上述构成,能够提供可提高低温下的输出性能的蓄电元件。

上述蓄电元件中,活性物质层可以含有活性物质的一次粒子凝聚而成的二次粒子,在活性物质的二次粒子的内部,形成有构成该二次粒子的一次粒子的粒径以上的空孔。通过上述构成,与对二次粒子形成内表面的部分相应地,二次粒子的比表面积变大,输出时的在活性物质表面的反应高效地进行。

上述蓄电元件中,粒径为上述Dx以下的粒子的体积比例相对于活性物质层所含有的全部粒子的体积可以为52%~60%。通过上述构成,可提高低温下的输出性能。

本实施方式的蓄电元件的制造方法,具备制作具有至少含活性物质粒子的活性物质层的电极的工序,制作电极的工序具有将含有活性物质的一次粒子凝聚而成的二次粒子的活性物质层进行压制的工序,通过压制活性物质层,使二次粒子的一部分破碎,以使压制后的活性物质层所含有的粒子的基于体积标准的粒径频度分布具有第1峰和在比该第1峰粒径大的一侧出现的第2峰,并且,通过使二次粒子的一部分破碎,在粒径频度分布中,将在第1峰和第2峰之间频度变为极小的粒径作为Dx时,使粒径为Dx以下的粒子的体积比例相对于活性物质层所含有的全部粒子的体积变为49%~62%。通过上述构成的制造方法,能够提供可提高低温下的输出性能的蓄电元件。

根据本实施方式,能够提供可提高低温下的输出性能的蓄电元件和该蓄电元件的制造方法。

附图说明

图1为本实施方式涉及的蓄电元件的立体图。

图2为图1的II-II线位置的截面图。

图3为图1的III-III线位置的截面图。

图4为用于说明该实施方式涉及的蓄电元件的电极体的构成的图。

图5为重叠的正极、负极和隔离件的截面图(图4的V-V截面)。

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