[发明专利]用于基板处理设备的气体喷涂设备及基板处理设备有效
| 申请号: | 201780054333.4 | 申请日: | 2017-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN109661714B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
| 发明(设计)人: | 金成培;孙清 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/687;H05H1/46;H01L21/683;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 设备 气体 喷涂 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
处理腔室;
基板支撑单元,所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板;
腔室盖,所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部;以及
处理气体分配单元,所述处理气体分配单元安装在所述腔室盖中,以向所述基板支撑单元分配处理气体,
其中,
所述处理气体分配单元包括安装在所述腔室盖中的分配体以及面向所述基板支撑单元的等离子体电极,并且
所述等离子体电极包括第一等离子体电极和第二等离子体电极,所述第二等离子体电极比所述第一等离子体电极短,
所述基板支撑单元围绕旋转轴旋转,
所述处理气体分配单元包括:多个第一分配孔,所述多个第一分配孔沿第一轴线方向设置并且彼此间隔开;以及多个第二分配孔,所述多个第二分配孔沿所述第一轴线方向设置并且彼此间隔开,
所述分配体包括:第一主体,所述第一主体设置有所述第一分配孔;以及第二主体,所述第二主体设置为相对于所述第一轴线方向从所述第一主体突出,
所述第二主体包括第一子主体,所述第一子主体设置为在所述第一轴线方向上具有在朝向所述基板支撑单元的所述旋转轴的方向上减小的长度,并且
所述第二分配孔设置在所述第二主体中,并且所述第二分配孔中的相对于所述第一轴线方向与所述第一分配孔间隔开长距离的一部分第二分配孔设置为在与所述第一轴线方向垂直的第二轴线方向上具有较短的长度。
2.一种基板处理设备,包括:
处理腔室;
基板支撑单元,所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板;
腔室盖,所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部;以及
处理气体分配单元,所述处理气体分配单元安装在所述腔室盖中,以向所述基板支撑单元分配处理气体,
其中,
所述处理气体分配单元包括:分配体,所述分配体安装在所述腔室盖中;第一注入孔,向所述基板支撑单元分配的处理气体经由所述第一注入孔被注入;以及第二注入孔,向所述基板支撑单元分配的处理气体经由所述第二注入孔被注入,并且
所述第一注入孔和所述第二注入孔设置在所述分配体中的不同位置处,
所述基板支撑单元围绕旋转轴旋转,
所述处理气体分配单元包括:多个第一分配孔,所述多个第一分配孔沿第一轴线方向设置并且彼此间隔开;以及多个第二分配孔,所述多个第二分配孔沿所述第一轴线方向设置并且彼此间隔开,
所述分配体包括:第一主体,所述第一主体设置有所述第一分配孔;以及第二主体,所述第二主体设置为相对于所述第一轴线方向从所述第一主体突出,
所述第二主体包括第一子主体,所述第一子主体设置为在所述第一轴线方向上具有在朝向所述基板支撑单元的所述旋转轴的方向上减小的长度,并且
所述第二分配孔设置在所述第二主体中,并且所述第二分配孔中的相对于所述第一轴线方向与所述第一分配孔间隔开长距离的一部分第二分配孔设置为在与所述第一轴线方向垂直的第二轴线方向上具有较短的长度。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中,所述处理气体分配单元包括:
第一分支槽,所述第一分支槽将所述第一分配孔和所述第一注入孔连接,使得经由所述第一注入孔注入的所述处理气体经由所述第一分配孔向所述基板支撑单元分配;以及
第二分支槽,所述第二分支槽将所述第二分配孔和所述第二注入孔连接,使得经由所述第二注入孔注入的所述处理气体经由所述第二分配孔向所述基板支撑单元分配。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中,
所述第一分配孔相对于所述第一轴线方向设置在所述第二分配孔之间,并且
所述第二分配孔相对于所述第一轴线方向邻近所述第一分配孔的两侧设置,使得设置相同数量的所述第二分配孔和所述第一分配孔。
5.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中,
所述第一分配孔设置为相对于与所述第一轴线方向垂直的所述第二轴线方向具有比所述第二分配孔更长的长度,并且
所述第一分支槽连接到的第一分配孔的数量比所述第二分支槽连接到的第二分配孔的数量更少。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





