[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具有：

基板；

第1薄膜晶体管，其支撑于上述基板，具有包含结晶质硅的第1半导体层；

第2薄膜晶体管，其支撑于上述基板，具有包含氧化物半导体的第2半导体层；以及

第3半导体层，其隔着第1绝缘层配置在上述第2薄膜晶体管的上述第2半导体层的上述基板侧，包含硅。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述第2薄膜晶体管在上述第2半导体层的上述基板侧还具有：栅极电极，其形成在上述第1绝缘层上；以及第2绝缘层，其覆盖上述栅极电极，

当从上述基板的法线方向观看时，上述第2半导体层与上述栅极电极重叠的区域的外缘位于比上述第3半导体层的外缘靠内侧。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

当从上述基板的法线方向观看时，上述第2半导体层的外缘位于比上述第3半导体层的外缘靠内侧。

4.根据权利要求2或3所述的有源矩阵基板，

上述第1薄膜晶体管还具有以隔着上述第1绝缘层与上述第1半导体层相对的方式配置的栅极电极，

上述第1薄膜晶体管的上述栅极电极与上述第2薄膜晶体管的上述栅极电极由相同导电膜形成。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板，

还具有由透明导电层形成的像素电极，

上述像素电极与上述第2半导体层直接接触。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述第1半导体层包含多晶硅，

上述第3半导体层包含非晶硅或多晶硅。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述氧化物半导体包含In-Ga-Zn-O系半导体。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述第2半导体层包含结晶质In-Ga-Zn-O系半导体。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述第2半导体层具有层叠结构。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述第2薄膜晶体管是沟道蚀刻型。

11.一种有源矩阵基板的制造方法，是权利要求1至10中的任意一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包含：

工序(A)，准备上述基板；

工序(B)，在上述基板上沉积包含硅的半导体膜；

工序(C)，使上述半导体膜的至少一部分结晶化，从而形成包含结晶质硅的第1半导体膜；以及

工序(D)，将上述半导体膜图案化，从而形成上述第1半导体层和上述第3半导体层，其中，通过将上述第1半导体膜图案化来形成上述第1半导体层。