[发明专利]包含含有三芳基二胺的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，

在式(1)中，R¹为由N,N’-二苯基-1,4-苯二胺衍生的2价有机基，

R²为苯基，该苯基可以被卤基、硝基、氨基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～40的芳基、甲酰基、羧基、或羟基取代，R³为氢原子。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，式(1)所示的单元结构为式(1-1)所示的单元结构，

在式(1-1)中，R²为苯基，该苯基可以被卤基、硝基、氨基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～40的芳基、甲酰基、羧基、或羟基取代，R³为氢原子。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

4.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含酸和/或产酸剂。

6.一种抗蚀剂下层膜，其由权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物的固化膜构成。

7.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上由权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序；在所述下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过所形成的抗蚀剂图案对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

8.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上由权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序；在所述下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在所述硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；通过被图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；和通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。