[发明专利]具有二维材料发射层的有机/无机混合电致发光装置在审

专利信息
申请号: 201780052904.0 申请日: 2017-06-26
公开(公告)号: CN109661735A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 斯图尔特·斯塔布斯;斯蒂芬·怀特莱格;奈杰尔·皮克特;刘祖刚 申请(专利权)人: 纳米技术有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李新红;王旭
地址: 英国曼*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 甲基丙烯酸甲酯 有机发光二极管 电子传输层 电子注入层 电子阻挡层 空穴传输层 空穴注入层 空穴阻挡层 电场 玻璃基板 电致发光 二维材料 发光装置 平衡电荷 重新分配 发射层 缓冲层 混合电 源材料 二维 塑料
【权利要求书】:

1.一种二维OLED混合装置,包括无机二维(2D)电致发光(EL)有源层。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述二维电致发光有源层包括过渡金属二硫属化物。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置包括具有相邻阳极层的基板。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置包括具有相邻阴极层的基板。

5.根据权利要求1所述的装置,还包括缓冲层。

6.根据权利要求5所述的装置,其中所述缓冲层包含聚(甲基丙烯酸甲酯)。

7.根据权利要求1所述的装置,还包括柔性基板。

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述二维电致发光有源层大致上是单层。

9.一种制备二维OLED混合装置的方法,包括:

a.提供涂有阳极材料的基板;

b.沉积空穴注入层;

c.沉积空穴传输层/电子阻挡层;

d.沉积二维电致发光有源层;

e.沉积电子传输层/空穴阻挡层;

f.沉积电子注入层;和

g.沉积阴极层。

10.根据权利要求9所述的方法,其中通过溶液处理沉积所述二维电致发光有源层。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述二维电致发光有源层使用二维纳米颗粒沉积。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述二维纳米颗粒用配体官能化。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述配体选自短链配体和熵配体组成的组合。

14.根据权利要求9所述的方法,进一步包括封装所述装置。

15.一种制备二维OLED混合装置的方法,包括:

a.提供涂有阴极材料的基板;

b.沉积电子注入层/电子传输层/空穴阻挡层;

c.沉积二维电致发光有源层;

d.沉积空穴传输层/电子阻挡层;

e.沉积空穴注入层;和

f.沉积阳极层。

16.根据权利要求15所述的方法,其中通过溶液处理沉积所述二维电致发光有源层。

17.根据权利要求15所述的方法,其中所述二维电致发光有源层以2D纳米颗粒的溶液或分散体的形式沉积。

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述二维纳米颗粒用配体官能化。

19.根据权利要求18所述的方法,其中所述配体选自短链配体和熵配体组成的组合。

20.根据权利要求15所述的方法,进一步包括封装所述装置。

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