[发明专利]相控阵控制电路在审

专利信息
申请号: 201780052716.8 申请日: 2017-08-28
公开(公告)号: CN110024222A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: K·N·马德森;W·C·艾伦;J·P·科莫;R·J·麦克莫罗;D·W·科尔曼;N·贾恩;R·I·格雷沙姆;G·梅农;V·贾恩 申请(专利权)人: 安诺基维吾公司
主分类号: H01Q3/24 分类号: H01Q3/24;H01Q3/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王青芝;黄纶伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 波束形成通道 寄存器库 寄存器组 相控阵系统 波束切换 单独波束 电路 有功功率控制 波束图案 控制电路 控制提供 快速切换 相位参数 相控阵 预编程 功耗 取向 电量 关联 消耗 配置
【权利要求书】:

1.一种相控阵系统,所述相控阵系统包括:

多个波束形成部件;

多个波束形成通道,每个波束形成通道包括波束形成电路,所述波束形成电路被配置成处理用于离散波束形成部件的信号;以及

针对每个波束形成通道的对应寄存器库,所述对应寄存器库包括可寻址且可编程的多个寄存器组以及从快速波束切换控制接口接收快速波束切换控制信号的快速波束切换电路,每个寄存器组被配置成存储针对所述波束形成通道的操作参数,所述快速波束切换电路被配置成基于来自所述快速波束切换控制接口的所述快速波束切换控制信号向所述波束形成通道提供来自所述多个寄存器组中的选定寄存器组的操作参数。

2.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换电路被配置成允许随机地接入所述寄存器组。

3.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换电路被配置成允许顺序地接入所述寄存器组。

4.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换电路被配置成允许循环地接入所述寄存器组。

5.根据权利要求1所述的相控阵系统,所述相控阵系统还包括用于对所述寄存器库编程的编程接口。

6.根据权利要求5所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换控制接口是所述编程接口的一部分。

7.根据权利要求5所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换控制接口与所述编程接口分离。

8.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换电路被配置成基于并行地址选择所述寄存器组。

9.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述快速波束切换电路被配置成基于时钟信号选择所述寄存器组。

10.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述操作参数包括幅度参数和相位参数。

11.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,所述波束形成通道中的至少一个是双模式波束形成通道,所述双模式波束形成通道包括用于以发射模式操作的发射路径电路、用于以接收模式操作的接收路径电路以及模式选择电路,所述模式选择电路用于基于针对所述波束形成通道的所述操作参数中的模式选择参数在所述发射模式与所述接收模式之间切换。

12.根据权利要求1所述的相控阵系统,其中,至少一个波束形成通道包括有功功率控制电路,所述有功功率控制电路被配置成针对(1)降低所述相控阵系统的DC功耗和(2)选择性地改变所述相控阵系统的有效方向性中的至少一方,基于针对所述波束形成通道的功率控制参数来选择性地控制所述波束形成通道的DC功耗。

13.根据权利要求12所述的相控阵系统,其中,根据提供给所述波束形成通道的所述操作参数获得针对所述波束形成通道的所述功率控制参数。

14.根据权利要求12所述的相控阵系统,其中,根据与所述寄存器库分离的寄存器获得针对所述波束形成通道的所述功率控制参数。

15.根据权利要求12所述的相控阵系统,其中,所述有功功率控制电路被配置成选择性地接通和断开所述波束形成通道的至少一些波束形成电路。

16.根据权利要求12所述的相控阵系统,其中,所述有功功率控制电路被配置成对所述波束形成通道的至少一些波束形成电路的功率级进行选择性地调节。

17.根据权利要求1所述的相控阵系统,所述相控阵系统包括多个波束形成集成电路,每个波束形成集成电路实现至少一个波束形成通道和对应寄存器库。

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