[发明专利]金属掩模用原材料及其制造方法

说明书

本发明提供一种抑制蚀刻后的形状变化，并且在获得良好的抗蚀剂密接性及蚀刻加工性方面较佳的金属掩模用原材料及其制造方法。一种金属掩模用原材料，轧制方向上的表面粗糙度及与轧制方向正交的方向上的表面粗糙度均为0.05μm≤Ra≤0.25μm，Rz≤1.5μm，所述金属掩模用原材料中，与轧制方向正交的方向上的偏度Rsk为0以上，自所述金属掩模用原材料切取长度150mm、宽度30mm的试样，对所述试样从单侧进行蚀刻，除去所述试样的板厚的60％时的翘曲量为15mm以下，板厚为0.10mm以上且0.5mm以下。

技术领域

本发明涉及一种金属掩模(metal mask)用原材料及其制造方法。

背景技术

例如在有机电致发光(Electro-Luminescence，EL)显示器的制作中，为了对基板进行蒸镀以生成彩色图案(color patterning)，而使用金属掩模。此种金属掩模中，作为制作开孔部的方法之一，已知对Fe-Ni合金的薄板进行蚀刻加工的方法。为了提升所述蚀刻特性，进行了各种提案。例如，在专利文献1中，为了能够形成高精细的蚀刻图案，而记载了一种蚀刻加工用原材料，其特征在于，在与轧制方向成直角的方向上测定的表面粗糙度为Ra：0.08μm～0.20μm，在轧制方向上测定的表面粗糙度为Ra：0.01μm～0.10μm，且在与轧制方向成直角的方向上测定的表面粗糙度与在轧制方向上测定的表面粗糙度相比，以Ra计而超出0.02μm，具有粗糙的表面粗糙度。而且在专利文献2中，记载了通过对轧制面的晶体取向(111)、晶体取向(200)、晶体取向(220)、晶体取向(311)的X射线衍射强度进行调整，而提升了蚀刻性的金属掩模材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2010-214447号公报

专利文献2：日本专利特开2014-101543号公报

发明内容

发明所要解决的问题

为了制作高精细的有机EL显示器等产品，需要在所使用的掩模中形成更高精度的图案。因此，除了可均匀地进行蚀刻的表面，也要求为了抑制侧面蚀刻(side etching)而进一步提升抗蚀剂与原材料的密接性。专利文献1、专利文献2分别为在提升蚀刻加工性方面优异的发明，但关于也同时提升密接性的方面，尚有进一步研究的余地。

本发明的目的在于提供一种抑制蚀刻后的形状变化，并且在获得良好的抗蚀剂密接性及蚀刻加工性方面较佳的金属掩模用原材料及其制造方法。

解决问题的技术手段

本发明人等为了达成所述目的，对化学组成、表面粗糙度、残留应力等对蚀刻加工具有影响的各种因素进行了积极研究。结果发现了能够提升与抗蚀剂的密接性或进行均匀的蚀刻加工，并且对抑制蚀刻后的形状变化有效的构成，从而想到了本发明。

即本发明的一方式为一种金属掩模用原材料，以质量％计，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分为Fe及不可避免的杂质，其中，

所述金属掩模用原材料中，轧制方向上的表面粗糙度及与轧制方向正交的方向上的表面粗糙度均为0.05μm≤Ra≤0.25μm、Rz≤1.5μm，

所述金属掩模用原材料中，与轧制方向正交的方向上的偏度Rsk为0以上，

自所述金属掩模用原材料切取长度150mm、宽度30mm的试样，对所述试样从单侧进行蚀刻，除去所述试样的板厚的60％时的翘曲量为15mm以下，板厚为0.10mm以上且0.5mm以下。

优选：所述金属掩模用原材料的轧制方向上的偏度Rsk小于所述金属掩模用原材料的与轧制方向正交的方向上的Rsk。