[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法、大凹坑缺陷检测方法、缺陷识别方法

权利要求书

1.一种SiC外延晶片，其特征在于，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm²的4H-SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，

在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm²以下。

2.一种SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，是制造在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm²的4H-SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片的方法，

具有在所述SiC单晶基板上使外延层生长的外延生长工序，

在所述外延生长工序中，使生长速度为5～100μm/小时，使生长温度为1500℃以上，使C/Si比为1.25以下。

3.根据权利要求2所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，

使C/Si比为1.10以下。

4.根据权利要求2或3所述的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，

分选在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm²以下的SiC外延晶片。

5.一种大凹坑缺陷检测方法，

使用具有共聚焦微分干涉光学系统的共聚焦显微镜，来检测SiC外延晶片的SiC外延层中的大凹坑缺陷，

所述大凹坑缺陷是在SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的缺陷。

6.一种缺陷识别方法，是对在SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片的SiC外延层的缺陷进行识别的方法，

通过将利用具有共聚焦微分干涉光学系统的共聚焦显微镜测定到的所述SiC单晶基板中的基板碳夹杂物的位置和所述SiC外延层的大凹坑缺陷的位置进行对比，从而将由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷从其他的缺陷中识别出。

7.一种缺陷识别方法，是对在SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片的SiC外延层的缺陷进行识别的方法，

使用具有共聚焦微分干涉光学系统的共聚焦显微镜和光致发光装置，来识别由所述SiC单晶基板中的基板碳夹杂物引起的SiC外延层的大凹坑缺陷和由坠落物引起的SiC外延层的缺陷。

8.一种缺陷识别方法，是对在SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片的SiC外延层的缺陷进行识别的方法，

使用具有共聚焦微分干涉光学系统的共聚焦显微镜和光致发光装置，来识别由所述SiC单晶基板中的基板碳夹杂物引起的SiC外延层的大凹坑缺陷和由所述SiC单晶基板中的贯通位错引起的SiC外延层的缺陷。