[发明专利]太阳能单电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能单电池的制造方法，其特征在于，包括：

通过对晶体硅衬底照射激光使所述晶体硅衬底的表面非晶化来形成非晶硅层的第1工序；和

向所述非晶硅层导入氢的第2工序。

2.如权利要求1所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

还包括在所述非晶硅层上形成电极层的第3工序。

3.如权利要求2所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

所述第1工序包括：在所述晶体硅衬底的表面形成包含n型或者p型掺杂剂的掺杂剂扩散层的工序；和对所述掺杂剂扩散层和所述晶体硅衬底照射激光的工序。

4.如权利要求2所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

所述太阳能单电池是所述电极层没有设置于受光面侧而设置于与所述受光面侧相反的背面的背面接合型太阳能单电池，

所述第1工序包括：在所述晶体硅衬底的所述受光面侧形成纹理结构的工序；和在所述晶体硅衬底的所述背面形成n型和p型所述非晶硅层的工序。

5.如权利要求1所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：

所述第2工序包括：在所述非晶硅层上形成包含含氢的氧化硅、氮化硅、氧氮化硅的任意者的绝缘层的工序；和在所述绝缘层形成后或形成期间进行退火处理的工序。

6.一种太阳能单电池，其包括：晶体硅衬底；和形成在所述晶体硅衬底上的电极层，所述太阳能单电池的特征在于：

所述晶体硅衬底包括晶体硅层和非晶硅层，所述晶体硅层的氧浓度与所述非晶硅层的氧浓度之差在10倍以内。

7.如权利要求6所述的太阳能单电池，其特征在于：

在所述晶体硅衬底的所述受光面侧形成有纹理结构，

所述非晶硅层设置于没有形成纹理结构的所述晶体硅衬底的背面侧，

所述非晶硅层包括：包含n型掺杂剂的第1导电型层；和包含p型掺杂剂的第2导电型层，

所述电极层设置于所述第1导电型层和所述第2导电型层上，而没有设置于所述晶体硅衬底的受光面侧。

8.如权利要求7所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述电极层包括形成于所述第1导电型层上的n侧电极和形成于所述第2导电型层上的p侧电极，

所述太阳能单电池还包括形成在所述非晶硅层上且所述n侧电极与所述p侧电极之间的绝缘层。