[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法以及图像显示装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、以覆盖该栅电极及该电容器电极的方式形成的绝缘层、形成在该绝缘层上的源电极及漏电极、以及在由该源电极和该漏电极夹着的范围内含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖所述电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成有所述栅电极，以覆盖所述栅电极及所述电容器电极的方式形成有第二绝缘层，在该第二绝缘层上至少形成有所述源电极、漏电极及半导体层，所述电容器电极在俯视时与所述漏电极重叠且与所述栅电极不重叠。

2.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、以覆盖该栅电极及该电容器电极的方式形成的绝缘层、形成在该绝缘层上的源电极及漏电极、以及在由该源电极和该漏电极夹着的范围内含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖所述电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成有所述栅电极，以覆盖所述栅电极且不覆盖所述电容器电极的方式形成有第二绝缘层，在该第二绝缘层上至少形成有所述源电极、漏电极及半导体层，所述电容器电极在俯视时与所述漏电极重叠。

3.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使用不同的材料。

4.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层的介电常数高于所述第二绝缘层的介电常数。

5.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层是将绝缘材料层叠2层以上而形成的。

6.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第二绝缘层是将绝缘材料层叠2层以上而形成的。

7.一种有机薄膜晶体管，具有绝缘性的基板、栅电极、电容器电极、绝缘层、源电极、漏电极、以及含有有机半导体材料的半导体层，其中，所述绝缘层包括：第一绝缘层，覆盖所述基板和形成在所述基板上的所述栅电极；以及第二绝缘层，覆盖形成在所述第一绝缘层上的所述电容器电极，所述第二绝缘层的膜厚比所述第一绝缘层的膜厚薄，所述电容器电极在俯视时与所述漏电极重叠。

8.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述第二绝缘层上至少形成有所述源电极、所述漏电极及所述半导体层。

9.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述第一绝缘层上至少形成有所述源电极、所述漏电极的一部分及所述半导体层。

10.根据权利要求7~9中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使用不同的材料形成。

11.根据权利要求7~9中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第二绝缘层的介电常数高于所述第一绝缘层的介电常数。

12.根据权利要求7~9中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层是将绝缘材料层叠2层以上而形成的。

13.根据权利要求7~9中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第二绝缘层是将绝缘材料层叠2层以上而形成的。

14.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有第一电容器电极、第一绝缘层、源电极、漏电极、含有有机半导体材料的半导体层、第二绝缘层及栅电极，其中，在所述基板上形成有第一电容器电极，至少在所述第一电容器电极上形成有所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成有所述源电极、所述漏电极及所述半导体层，所述漏电极在俯视时与所述第一电容器电极的至少一部分重叠，在所述源电极、所述漏电极的至少一部分及所述半导体层上形成有所述第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成有所述栅电极。