[发明专利]激光退火装置、带晶化膜基底的检查方法及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种具有晶化膜的基底的检查方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(A)以激光光束照射一基底上的非晶膜，以使得所述非晶膜结晶化并形成晶化膜；

(B)以探测光束照射所述晶化膜；

(C)以一光电检测器检测透过所述晶化膜的所述探测光束；

(D)通过传送所述基底改变所述探测光束在所述晶化膜上的照射位置，以获得所述光电检测器的检测信号的多个检测值；以及

(E)根据所述多个检测值的标准差，判断所述晶化膜的结晶状态，

其中，所述激光光束通过一投影透镜，在所述非晶膜上形成一线形照射区域，以及

所述光电检测器对通过所述投影透镜的所述探测光束进行检测，

在传送方向上，所述探测光束的照明区域和所述激光光束的所述线形照射区域之间存在间隙。

2.根据权利要求1所述的检查方法，其特征在于，所述步骤(E)包括：

将所述标准差与一阈值相比较；以及

当所述标准差小于所述阈值时，将所述基底判断为无缺陷，或者当所述标准差大于或等于所述阈值时，将所述基底判断为有缺陷。

3.根据权利要求1或2所述的检查方法，其特征在于，所述步骤(E)还包括根据所述多个检测值的平均值，判断所述结晶状态。

4.根据权利要求1或2所述的检查方法，其特征在于，

所述探测光束在所述晶化膜上形成线形的所述照明区域，以及

透过所述晶化膜的所述探测光束由一聚光透镜会聚于所述光电检测器上。

5.根据权利要求1或2所述的检查方法，其特征在于，所述步骤(D)包括在以所述激光光束和所述探测光束同时照射所述基底的过程中，传送所述基底，以改变所述激光光束的照射位置以及所述探测光束的照射位置。

6.根据权利要求1或2所述的检查方法，其特征在于，

所述步骤(A)包括在将置于一基台上的所述基底移动的同时，以所述激光光束照射所述非晶膜，

所述步骤(B)包括在所述基台外部以所述探测光束照射所述非晶膜，以及

所述步骤(D)包括由一机械手臂将所述基台上的所述基底移出，以改变所述探测光束的所述照射位置。

7.根据权利要求6所述的检查方法，其特征在于，所述步骤(C)包括由所述光电检测器对两次或更多次通过所述晶化膜的所述探测光束进行检测。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(a)在一基底上形成非晶膜；

(b)以激光光束照射所述非晶膜，以使得所述非晶膜结晶化并形成晶化膜；

(c)以探测光束照射所述晶化膜；

(d)以一光电检测器检测透过所述晶化膜的所述探测光束；

(e)通过传送所述基底改变所述探测光束在所述晶化膜上的照射位置，以获得所述光电检测器所输出的检测信号的多个检测值；

(f)根据所述多个检测值的标准差，判断所述晶化膜的结晶状态；以及

(g)根据所述结晶状态的判断结果，以所述激光光束再次照射所述晶化膜，

其中，所述激光光束通过一投影透镜，在所述非晶膜上形成一线形照射区域，以及

所述光电检测器对通过所述投影透镜后的所述探测光束进行检测，

在传送方向上，所述探测光束的照明区域和所述激光光束的所述线形照射区域之间存在间隙。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述步骤(f)包括：

将所述标准差与一阈值相比较；以及

当所述标准差小于所述阈值时，将所述基底判断为无缺陷，或者当所述标准差大于或等于所述阈值时，将所述基底判断为有缺陷。

10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，所述步骤(f)还包括根据所述多个检测值的平均值，判断所述结晶状态。