[发明专利]晶体管驱动电路和电动机驱动控制装置

权利要求书

1.一种晶体管驱动电路，其特征在于，

以双极型晶体管(1)和MOSFET(2)并联连接的结构为驱动对象，

包括对所述双极型晶体管或者MOSFET的温度进行检测的温度检测元件(15)，

若所述温度为阈值以下，则使所述MOSFET和所述双极型晶体管双方接通，

若所述温度大于阈值，则仅使所述双极型晶体管接通。

2.如权利要求1所述的晶体管驱动电路，其特征在于，

利用所述温度检测元件，对所述MOSFET的温度进行检测。

3.如权利要求1或2所述的晶体管驱动电路，其特征在于，包括：

断开延迟电路(7)，所述断开延迟电路(7)使输入信号的下降时刻延迟；

双极驱动电路(8)，所述双极驱动电路(8)根据经由所述断开延迟电路输入的信号的电平变化，向所述双极型晶体管的栅极施加接通电平电压和断开电平电压；

MOS驱动电路(10)，所述MOS驱动电路(10)向所述MOSFET的栅极施加接通电平电压和断开电平电压；

温度检测部(16)，所述温度检测部(16)输出与所述温度检测元件检出的温度对应的电压信号；

峰值保持电路(17)，所述峰值保持电路(17)对所述电压信号的峰值进行保持；

比较器(18)，所述比较器(18)对所述峰值和阈值进行比较；

上升判断电路(11)，所述上升判断电路(11)在所述双极型晶体管接通期间，当所述晶体管的驱动电压大于规定电压时，输出触发信号；

接通/断开判断电路(14)，所述接通/断开判断电路(14)在所述触发信号输入时，根据所述比较器的比较结果，决定是否利用所述MOS驱动电路使所述MOSFET接通；以及

下降检测电路(9)，所述下降检测电路(9)对输入信号的下降沿进行检测，输出用于通过所述MOS驱动电路使所述MOSFET断开的断开指令。

4.一种晶体管驱动电路，其特征在于，

以双极型晶体管(1)和MOSFET(2)并联连接的结构为驱动对象，

包括对流过所述双极型晶体管的电流进行检测的电流检测元件(5)，

若所述电流为阈值以下，则使所述MOSFET和所述双极型晶体管双方接通，

若所述电流大于所述阈值，则仅使所述双极型晶体管接通。

5.如权利要求4所述的晶体管驱动电路，其特征在于，包括：

断开延迟电路(7)，所述断开延迟电路(7)使输入信号的下降时刻延迟；

双极驱动电路(8)，所述双极驱动电路(8)根据经由所述断开延迟电路输入的信号的电平变化，向所述双极型晶体管的栅极施加接通电平电压和断开电平电压；

MOS驱动电路(10)，所述MOS驱动电路(10)根据所述输入信号的电平变化，向所述MOSFET的栅极施加接通电平电压和断开电平电压；

比较器(22、23)，所述比较器(22、23)对根据所述电流检测元件检出的电流而输出的电压信号和阈值进行比较；

上升判断电路(11)，所述上升判断电路(11)在所述双极型晶体管接通期间，当所述晶体管的驱动电压大于规定电压时，输出触发信号；

接通/断开判断电路(24)，所述接通/断开判断电路(14)在所述触发信号输入时，根据所述比较器的比较结果，决定是否利用所述MOS驱动电路使所述MOSFET接通；以及

下降检测电路(9)，所述下降检测电路(9)对输入信号的下降沿进行检测，输出用于通过所述MOS驱动电路使所述MOSFET断开的断开指令。

6.一种晶体管驱动电路，其特征在于，

以双极型晶体管(1)和MOSFET(2)并联连接的结构为驱动对象，

包括对流过所述双极型晶体管的电流进行检测的电流检测元件(5)，

若所述电流为一方的极性中的第一阈值以下，则使所述MOSFET和所述双极型晶体管双方接通，若所述电流大于所述第一阈值，则仅使所述双极型晶体管接通，

若所述电流为另一方的极性中的、设定得比所述第一阈值相当值高的第二阈值以下，则使所述双极型晶体管和所述MOSFET同时接通，若所述电流大于所述第二阈值，则仅使所述双极型晶体管接通。