[发明专利]等离子体设备和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体设备，用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理，其特征在于，所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块，多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出，多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度，及根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

2.根据权利要求1所述的等离子体设备，其特征在于，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在每条所述导气通道上的阀门，所述阀门用于调节进入所述腔室的所述气体的流量以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

3.根据权利要求2所述的等离子体设备，其特征在于，所述导气管包括开设有进气口的总路及与多个所述腔室对应的多条支路，所述腔室通过对应的所述支路连接至所述总路，多个所述阀门分别设置在多条所述支路上。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的等离子体设备，其特征在于，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，所述电压调节器用于调节所述第一电极和/或所述第二电极的电压以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

5.根据权利要求4所述的等离子体设备，其特征在于，每个所述第二电极设置有均匀分布的多个出气口。

6.根据权利要求4所述的等离子体设备，其特征在于，每个所述腔室还包括相对的两个绝缘体侧壁，两个所述绝缘体侧壁连接所述第一电极及所述第二电极，并将相邻的两个所述腔室的两个所述第一电极间隔，及将相邻的两个所述腔室的两个所述第二电极间隔，相邻的两个所述腔室共用一个绝缘体侧壁。

7.根据权利要求1所述的等离子体设备，其特征在于，所述多个腔室通过绝缘体间隔设置。

8.根据权利要求4所述的等离子体设备，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为金属电极。

9.根据权利要求1所述的等离子体设备，其特征在于，所述阳极层采用铟锡氧化物材料。

10.一种等离子体处理方法，用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理，其特征在于，所述等离子体处理方法包括：

提供等离子体设备，所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块，多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出，多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度；及

根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在多条所述导气通道上的阀门，

根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述阀门的开放面积来实现的。

12.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，

根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述电压调节器施加在所述第一电极和/或所述第二电极的电压来实现的。

13.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在每条所述导气通道上的阀门，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，

根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述阀门的开放面积，和控制多个所述电压调节器施加在所述第一电极和/或所述第二电极的电压来实现的。