[发明专利]用于等离子体室的隔离栅网

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

等离子体室，所述等离子体室具有介电侧壁；

围绕所述介电侧壁设置的电感等离子体源，所述电感等离子体源包括感应线圈，所述感应线圈在被RF能量供能时可操作地在所述等离子体室内引发等离子体；

处理室，所述处理室与所述等离子体室隔开；

隔离栅网，所述隔离栅网将所述等离子体室与所述处理室隔开，所述隔离栅网具有多个孔，所述隔离栅网接地，使得带电粒子在其通过所述孔的路径中与所述壁复合；

温度控制系统，包括嵌入所述隔离栅网中的一个或更多个温度控制单元，且所述温度控制单元包括布置在所述隔离栅网的中心区域中的一个或更多个第一加热元件、以及布置在所述隔离栅网的边缘区域中的一个或更多个第二加热元件；

其中所述温度控制系统被配置成相对于所述一个或更多个第二加热元件独立地控制所述一个或更多个第一加热元件来调节所述隔离栅网的温度，以影响中性物质通过所述隔离栅网的流动。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述温度控制系统包括：

一个或更多个控制器；以及

一个或更多个温度传感器，所述一个或更多个温度传感器配置成产生指示所述隔离栅网的温度的信号，

其中所述一个或更多个控制器配置成至少部分地基于指示所述隔离栅网的温度的所述信号来控制提供给所述一个或更多个温度控制单元的电流。

3.一种用于等离子体处理装置的隔离栅网，所述隔离栅网包括：

第一栅板，所述第一栅板具有穿过其中的与等离子体相关的允许中性物质通过的一个或更多个第一孔；

第二栅板，所述第二栅板具有穿过其中的与所述等离子体相关的允许中性物质通过的一个或更多个第二孔；以及

嵌入所述隔离栅网中的一个或更多个温度控制单元，包括布置在所述隔离栅网的中心区域中的一个或更多个第一加热元件、以及布置在所述隔离栅网的边缘区域中的一个或更多个第二加热元件，每个加热元件由导电材料形成并且配置成当电流流过所述加热元件时进行加热，并且所述一个或更多个温度控制单元被配置成相对于所述一个或更多个第二加热元件独立地控制所述一个或更多个第一加热元件来调节所述隔离栅网的温度，以影响中性物质通过所述隔离栅网的流动；

其中所述一个或更多个第一孔和所述一个或更多个第二孔分布成使得不存在穿过所述隔离栅网的直接视线。

4.一种用于在等离子体处理装置中将等离子体室与处理室隔开的隔离栅网，所述隔离栅网包括：

第一栅板，所述第一栅板具有穿过其中的与等离子体相关的允许中性物质通过的一个或更多个第一孔，

第二栅板，所述第二栅板具有穿过其中的与所述等离子体相关的允许中性物质通过的一个或更多个第二孔；

其中所述第一栅板或所述第二栅板中的至少一者在截面上具有变化厚度的轮廓使得所述隔离栅网在所述隔离栅网的整个截面上具有变化厚度的轮廓，以影响中性物质通过所述隔离栅网的流动，

其中所述第一栅板或所述第二栅板两者都具有大致平坦轮廓的第一表面和连续凹形轮廓的第二表面，

其中所述一个或更多个第一孔和所述一个或更多个第二孔分布成使得在所述等离子体室和所述处理室之间不存在穿过所述隔离栅网的直接视线；

其中所述隔离栅网的中心部具有第一厚度以及所述隔离栅网的外周部具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

5.根据权利要求4所述的隔离栅网，其中所述第一栅板为顶板以及所述第二栅板为底板，所述顶板具有与所述底板的变化厚度的轮廓呈镜像的变化厚度的轮廓。