[发明专利]有机半导体组合物和由其获得的半导体层

权利要求书

1.一种组合物，其包含至少一种晶体有机半导体和至少一种带有至少一个任选地取代的9，9-双取代的-9，10-二氢吖啶部分的化合物，所述化合物对应于式(a)

并且所述化合物不合任何对应于式(b)的螺双芴部分

其中：

R₁和R₂，可以是相同或不同的，表示C₁-C₅₀烃基或杂烃基，任选地一起形成任选地取代的环状部分，

R₃和R₄，可以是相同或不同的，表示H或C₁-C₂₄烃基或杂烃基，并且

Ar是任选地取代的芳基或杂芳基。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，该带有至少一个任选地取代的9，9-双取代的-9，10-二氢吖啶部分的化合物具有1600道尔顿或更少的分子量。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，该晶体半导体具有至少0.01cm²/Vs的场效应迁移率。

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中，晶体有机半导体与带有至少一个任选地取代的9，9-双取代的-9，10-二氢吖啶部分的化合物的重量比包括从5/95至95/5。

5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，该组合物基本上不含溶剂。

6.根据除权利要求5之外的前述权利要求中任一项所述的组合物，该组合物此外包含至少一种有机溶剂。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物用于制造半导体层的用途。

8.一种用于制造有机半导体层的方法，该方法包括施加根据权利要求1至6中任一项所述的组合物以在基底上形成层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该组合物是根据权利要求6所述的组合物并且该方法进一步包括从该层中蒸发该溶剂。

10.一种装置，该装置包含根据权利要求1至5中任一项所述的组合物或通过根据权利要求8或9所述的方法制造的有机半导体层。

11.根据权利要求10所述的装置，该装置是或包括场效应晶体管。

12.根据权利要求11所述的装置，该装置是场效应晶体管。

13.一种显示器，该显示器包括根据权利要求12所述的装置。