[发明专利]高分辨率全材料菲涅耳波带片阵列及其制造工艺

权利要求书

1.全材料菲涅耳波带片前体阵列，其特征在于公共载体上布置有多个全材料菲涅耳波带片前体，其中所述全材料菲涅耳波带片前体为微柱，且每个所述微柱产生一个或多个菲涅耳波带片。

2.根据权利要求1所述的全材料菲涅耳波带片前体阵列，其特征在于所述的全材料菲涅耳波带片前体在所述的公共载体上彼此相间隔。

3.根据权利要求1或2所述的全材料菲涅耳波带片前体阵列，其特征在于所述全材料菲涅耳波带片前体的中心轴在所述的公共载体上彼此平行布置。

4.根据权利要求1和2中的任意一项所述的全材料菲涅耳波带片前体阵列，其特征在于所述全材料菲涅耳波带片前体的中心轴布置为平行于所述公共载体的法线。

5.根据权利要求1和2中的任意一项所述的全材料菲涅耳波带片前体阵列，其特征在于所述的全材料菲涅耳波带片前体阵列具有受控的锥角，其中布置在相同的所述公共载体上的一些所述的菲涅耳波带片前体之间的锥角彼此不同。

6.生产全材料菲涅耳波带片前体阵列的工艺，其特征在于包括以下步骤：

a)提供包含复数个微柱的公共载体，其中每个所述微柱是菲涅耳波带片前体柱，并产生一个或多个菲涅耳波带片；

b)将至少两种不同材料的交替层沉积到至少一些所述的微柱上。

7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于通过选自包括以下工艺的组中的至少一种工艺，生产所述复数个微柱：

-聚焦离子束铣削；

-旋涂结合直接激光写入，或双光子聚合，或任何其它微缩印刷工艺；

-直接激光烧蚀；

-光学、电子、和离子束光刻中的任何，或

-任何自组装方法，以形成掩模层，然后进行化学蚀刻工艺。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于：

-所述聚焦离子束铣削为等离子聚焦离子束铣削；和/或

-所述自组装方法为定向自组装；和/或

-所述化学蚀刻工艺为再活化离子蚀刻或深度反应离子蚀刻。

9.根据权利要求6～8中任意一项所述的工艺，其特征在于通过选择性或非选择性原子层沉积进行所述交替层的沉积。

10.根据权利要求6～8中的任意一项所述的工艺，其特征在于同时在复数个微柱上进行所述交替层的沉积。

11.根据权利要求6～8中的任意一项所述的工艺，其特征在于还包括以下步骤：

c)在微柱上沉积交替层之后，从所述的公共载体上分离出至少一个这种微柱。

12.根据权利要求6～8中的任意一项所述的工艺，其特征在于还包括以下步骤：

d)在将所述的交替层沉积在所述的微柱上之后，通过离子束，从所述的微柱中切出所述全材料菲涅耳波带片。

13.根据权利要求6～8中的任意一项所述的工艺，其特征在于至少某些所述的微柱形成为相互平行。

14.根据权利要求11所述的工艺，其特征在于将分离的所述微柱结合到底座上。

15.根据权利要求14所述的工艺，其特征在于所述的底座为TEM底座。

16.根据权利要求11所述的工艺，其特征在于通过离子束诱导将分离的所述微柱结合到底座上。

17.根据权利要求11所述的工艺，其特征在于通过离子束诱导的Pt沉积将分离的所述微柱结合到底座上。