[发明专利]发光材料和用于制造发光材料的方法有效
| 申请号： | 201780049590.9 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109804047B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·西巴尔德;多米尼克·鲍曼;蒂姆·菲德勒;斯特凡·朗格;胡贝特·胡佩茨;丹尼尔·杜茨勒;托尔斯滕·施罗德;丹尼尔·比希勒;古德龙·普伦德里希;西蒙·佩施克;格雷戈尔·赫德尔;吉娜·阿赫赖纳;克劳斯·维斯特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C09K11/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 材料 用于 制造 方法 | ||
1.一种发光材料，所述发光材料具有如下化学通式：
(MA)1(TA)3(TD)1(XB)4:E，
其中
-MA选自一价金属，所述一价金属包括Li、Na、K、Rb、Cs和由其构成的组合，
-TA＝Li，
-TD＝Si，
-XB＝O并且E是Eu。
2.根据权利要求1所述的发光材料，
所述发光材料具有如下晶体结构，在所述晶体结构中TA和TD由XB包围，并且从中得出的结构单元经由共同的角和边结合成具有空腔或通道的三维空间网络，并且MA设置在所述空腔或通道中。
3.根据权利要求1所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式(NarK1-r)1(TA)3(TD)1(XB)4:E，其中0≤r≤1。
4.根据权利要求3所述的发光材料，所述发光材料以空间群I41/a、I4/m或P-1结晶。
5.根据权利要求3所述的发光材料，其中0.05r≤0.2。
6.根据权利要求3所述的发光材料，其中0.4r≤1。
7.根据权利要求1所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式：(Rbr'Li1-r')1(TA)3(TD)1(XB)4:E，其中0≤r'≤1。
8.根据权利要求7所述的发光材料，其中0.25≤r'≤0.75。
9.根据权利要求1所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式：(K1-r”-r”'Nar”Lir”')1(TA)3(TD)1(XB)4:E，其中0r”0.5，并且0r”'0.5。
10.根据权利要求9所述的发光材料，所述发光材料以空间群I4/m或C2/m结晶。
11.根据权利要求1所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式：(Rbr*Na1-r*)1(TA)3(TD)1(XB)4:E，其中0r*1。
12.根据权利要求11所述的发光材料，所述发光材料以空间群I4/m或C2/m结晶。
13.根据权利要求1或2所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式：(Cs,Na,K,Li)1(TA)3(TD)1(XB)4:E。
14.根据权利要求1或2所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式：(Cs,Na,Rb,Li)1(TA)3(TD)1(XB)4:E。
15.根据权利要求1或2所述的发光材料，所述发光材料具有化学通式：(Cs,Na,K)1(TA)3(TD)1(XB)4:E。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780049590.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
