[发明专利]复合膜、包括其的装置及其形成方法

权利要求书

1.一种复合膜，包括：

基质；和

一个或多个纳米结构，其包括将辐射能转换成热能的金属氧化物半导体；

其中所述基质具有可基于由所述基质从所述金属氧化物半导体接收的热能而变化的性质。

2.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述基质基于所述基质从所述金属氧化物半导体接收的热能发生相变。

3.根据权利要求1或2所述的复合膜，其中所述基质是热致型的、热致变色型的或热机械型的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合膜，其中所述一个或多个纳米结构嵌入所述基质中。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的复合膜，其中将所述一个或多个纳米结构涂覆或层压到所述基质上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的复合膜，其中所述金属氧化物半导体选自掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺铟氧化锡、掺锑氧化锡、掺氟氧化锡、掺铟氧化锌、还原氧化钨、低氧化钨、六方钨青铜氧化物及其组合。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的复合膜，其中所述基质包括选自聚合物、金属化合物、金属合金、离子液体和液晶中的材料。

8.根据权利要求7所述的复合膜，其中所述聚合物是水凝胶。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的复合膜，其中所述金属氧化物半导体转换红外区域中的电磁波的辐射能量。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的复合膜，其中所述金属氧化物半导体转换紫外区域中的电磁波的辐射能量。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的复合膜，其中所述金属氧化物半导体基于局部表面等离子体共振效应将辐射能转换成热能。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的复合膜，其中所述一个或多个纳米结构是纳米颗粒。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的复合膜，其中所述复合膜允许至少一些可见光通过。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的复合膜，其中所述复合膜包含聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶和10at％掺杂的掺锑氧化锡。

15.一种装置，包括根据权利要求1至14中任一项所述的复合膜。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述装置是选自灵巧窗、热致变色装置和形状记忆装置中的任意一种。

17.一种复合膜的形成方法，包括：

形成基质；和

形成一个或多个纳米结构，其包括将辐射能转换成热能的金属氧化物半导体；

其中所述基质具有可基于由所述基质从所述金属氧化物半导体接收的热能而变化的性质。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括：将所述一个或多个纳米结构分散在所述基质中。

19.根据权利要求17所述的方法，还包括：将所述一个或多个纳米结构涂覆或层压到所述基质上。

20.根据权利要求17至19中任一项所述的方法，其中所述基质包括选自聚合物、金属化合物、金属合金、离子液体和液晶中的材料。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述聚合物通过自由基聚合形成。