[发明专利]具有可调喷头与可调衬垫的工艺腔室

说明书

本文公开了具有可调喷头和可调衬垫的处理腔室。在一些实施例中，工艺腔室包括：喷头；腔室衬垫；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至喷头以调节喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至腔室衬垫以调节腔室衬垫的阻抗；以及控制器，所述控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制喷头和腔室衬垫的相对阻抗。

技术领域

本公开文本的实施例总的来说涉及用于处理基板的方法和设备。

背景技术

在基板的蚀刻或等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)期间，处理腔室的非对称性和等离子体的非线性(即，偏斜(skew))对基板上的蚀刻速率或沉积均匀性有负面影响。

因此，本发明人提供了一种改进的工艺腔室。

发明内容

本文公开了具有可调部件的工艺腔室。在一些实施例中，处理腔室包括：喷头；腔室衬垫；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至喷头以调节喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至腔室衬垫以调节腔室衬垫的阻抗；以及控制器，所述控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制喷头和腔室衬垫的相对阻抗。

在一些实施例中，串接工艺腔室包括第一工艺腔室和第二工艺腔室。所述第一工艺腔室包括：第一喷头；第一腔室衬垫；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至第一喷头以调节第一喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至第一腔室衬垫以调节第一腔室衬垫的阻抗；以及第一控制器，所述第一控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制第一喷头和第一腔室衬垫的相对阻抗。所述第二工艺腔室包括：第二喷头；第二腔室衬垫；第三阻抗电路，所述第三阻抗电路耦接至第二喷头以调节第二喷头的阻抗；第四阻抗电路，所述第四阻抗电路耦接至第二腔室衬垫以调节第二腔室衬垫的阻抗；以及第二控制器，所述第二控制器耦接至第三阻抗电路和第四阻抗电路以控制第二喷头和第二腔室衬垫的相对阻抗。

在一些实施例中，串接工艺腔室包括第一工艺腔室和第二工艺腔室。所述第一工艺腔室包括：第一喷头；第一绝缘环，所述第一绝缘环设置在第一喷头与第一工艺腔室的壁之间，以将第一喷头与第一工艺腔室电绝缘；第一腔室衬垫；第二绝缘环，所述第二绝缘环设置在第一腔室衬垫与第一工艺腔室的壁之间，以将第一腔室衬垫与第一工艺腔室电绝缘；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至第一喷头以调节第一喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至第一腔室衬垫以调节第一腔室衬垫的阻抗；以及第一控制器，所述第一控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制第一喷头和第一腔室衬垫的相对阻抗。所述第二工艺腔室包括：第二喷头；第三绝缘环，所述第三绝缘环设置在第二喷头与第二工艺腔室的壁之间，以将第二喷头与第二工艺腔室电绝缘；第二腔室衬垫；第四绝缘环，所述第四绝缘环设置在第二腔室衬垫与第二工艺腔室的壁之间，以将第二腔室衬垫与第二工艺腔室电绝缘；第三阻抗电路，所述第三阻抗电路耦接至第二喷头以调节第二喷头的阻抗；第四阻抗电路，所述第四阻抗电路耦接至第二腔室衬垫以调节第二腔室衬垫的阻抗；以及第二控制器，所述第二控制器耦接至第一阻抗电路和第二阻抗电路以控制第二喷头和第二腔室衬垫的相对阻抗。第一阻抗电路、第二阻抗电路、第三阻抗电路和第四阻抗电路中的每一个阻抗电路包括：第一可调电容器、第二可调电容器；以及串联电感电阻(LR)电路，所述串联电感电阻(LR)电路与第一可调电容器串联布置。

在下文中对本公开文本的其他与进一步的实施例进行描述。

附图说明

为了以能够详细理解本发明的以上记载特征的方式，可以通过参考实施例来对以上简要概括的本公开文本的实施例进行更具体的描述，这些实施例中的一些在所附附图中被示出。然而，附图仅示出了本公开文本的典型实施例，而由于本公开文本可允许其他等效的实施例，因此附图并不会视为对本公开文本的范围的限制。

图1示出根据本公开文本的一些实施例的工艺腔室的示意图。

图2示出根据本公开文本的一些实施例的耦接至工艺腔室的电路的示意图。

图3A至图3C示出图2的工艺腔室中的等离子体行为的各种情境。