[发明专利]振铃抑制电路在审
| 申请号： | 201780046234.1 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109479037A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 本田卓矢;矶村博文;岸上友久 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H04L25/02 | 分类号： | H04L25/02;H03K19/0175;H03K19/0185;H04B3/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调整电路 通信电路 振铃抑制 通信线 传送差动信号 差动信号 电路振铃 抑制电路 电容 电阻 振铃 电路 传送 通信 | ||
1.一种振铃抑制电路(5、21、23、31、33、35)，设置于具备通信电路(6)的节点(2)，该通信电路(6)经由一对通信线(3P、3N)传送差动信号从而进行与其他节点(2)的通信，
该振铃抑制电路的特征在于，
具备抑制部(7、22、24、32、34、36)，该抑制部通过在上述一对通信线间连接调整电路(12)，来进行对伴随着上述差动信号的传送而发生的振铃进行抑制的抑制动作，上述调整电路包含串联连接有电阻成分(10)及电容成分(11)的结构。
2.如权利要求1所述的振铃抑制电路，其特征在于，
作为上述电阻成分，包括MOS晶体管(T4)的导通电阻。
3.如权利要求2所述的振铃抑制电路，其特征在于，
作为上述电阻成分，还包括电阻元件(R31、R32)。
4.如权利要求3所述的振铃抑制电路，其特征在于，
上述电阻元件的电阻值被设定为比上述MOS晶体管的导通电阻的值高的值。
5.如权利要求1～4中任一项所述的振铃抑制电路，其特征在于，
作为上述电容成分，包括电容器(C2、C21)。
6.如权利要求2～4中任一项所述的振铃抑制电路，其特征在于，
上述电容成分包括：
第1电容器(C21)，连接在高电位侧的上述通信线(3P)与上述MOS晶体管的导通电阻之间；以及
第2电容器(C2)，连接在低电位侧的上述通信线(3N)与上述MOS晶体管的导通电阻之间。
7.如权利要求1～6中任一项所述的振铃抑制电路，其特征在于，
上述电阻成分的电阻值被设定为与具备上述一对通信线的传送线路(3)的特性阻抗匹配的值。
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