[发明专利]存取状态信息有效
申请号: | 201780045621.3 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN109478170B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 德布拉·M·贝尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存取 状态 信息 | ||
本发明包含与存取状态信息相关的设备及方法。一种实例性设备包括主机及耦合到所述主机的存储器装置。所述存储器装置包含控制器,所述控制器经配置以将指示所述控制器的状态寄存器是否含有已产生状态信息的状态信号提供到状态仲裁器。响应于所述状态信号指示所述状态寄存器含有所述已产生状态信息,所述控制器还可将所述状态信息从所述控制器经由状态媒介提供到所述状态仲裁器。
技术领域
本发明大体来说涉及半导体存储器及方法,且更具体来说涉及与存取状态信息相关的设备及方法。
背景技术
存储器装置通常作为内部半导体集成电路而被设置在计算机或其它电子系统中。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如,主机数据、错误数据等),且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及闸流管随机存取存储器(TRAM)。非易失性存储器在不被供电时可通过存留所存储的数据而提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及电阻可变存储器(例如,相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻式随机存取存储器(MRAM)(例如,从旋转矩转移随机存取存储器(STT RAM))等等。
电子系统通常包含若干个处理资源(例如,一或多个处理器),所述处理资源可检索并执行指令且将所执行指令的结果存储至适合位置。处理器可包括若干个功能单元,例如算术逻辑单元(ALU)电路、浮点单元(FPU)电路及组合逻辑块,例如,所述功能单元可用于通过对数据(例如,一或多个操作数)执行运算(例如,计算操作)而执行指令。如本文中所使用,计算操作可以是(举例来说)布尔运算(Boolean operation),例如AND、OR、NOT、NOT、NAND、NOR及XOR,及/或可涉及操控数据的其它操作(例如,反相、移位、算术、统计以及许多其它可能的操作)。举例来说,功能单元电路可用以经由若干个逻辑运算来对操作数执行算术运算,例如加、减、乘及/或除。例如上文所描述的计算操作可与“存储操作”区分开,计算操作如本文中所使用可指代不涉及数据操控的运算(例如,经由通常与处理资源相关联的功能单元)。存储操作的实例包含数据读取操作、数据写入操作及数据刷新操作。
在将指令提供到功能单元电路以供执行时,可涉及电子系统中的若干个组件。可(例如)由例如控制器及/或主机处理器等处理资源来执行所述指令。数据(例如,将对其执行指令的操作数)可存储在可由功能单元电路存取的存储器阵列中。在功能单元电路开始对数据执行指令之前,可从存储器阵列检索指令及/或数据并对其进行定序及缓冲。此外,由于可在一或多个时脉周期中通过功能单元电路执行不同类型的操作,因此也可对指令及/或数据的中间结果进行定序及缓冲。
在许多例子中,处理资源(例如,处理器及/或相关联的功能单元电路)可在存储器阵列外部,且经由位于处理资源与存储器阵列之间的汇流排存取数据以执行一组指令。可提高在存储器装置中进行的处理的处理性能,处理器可被实施在存储器内部及/或实施成靠近存储器(例如,直接与存储器阵列位于同一芯片上)。在存储器装置中进行处理可通过减少或消除经由总线进行的与执行计算操作相关联的数据传送量来节省时间及/或可减少功耗,举例来说。
在各种例子中,对于主机(例如,主机处理器)来说,从存储器装置存取状态信息是有用的。举例来说,这些状态信息可关系到流程控制、除错、异常及/或错误以及与存储器装置所执行的操作相关联的各种其它状态信息。
附图说明
图1A是根据本发明的若干个实施例的呈包含存储器装置的计算系统形式的设备的框图。
图1B是根据本发明的若干个实施例的图1A所展示控制器的实例的详细框图。
图2A说明状态通道的一部分。
图2B是图解说明根据本发明的若干个实施例的状态通道的一部分的框图。
图3是图解说明图2B中所展示的状态通道的一部分的额外细节的框图。
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