[发明专利]在碳化硅基底中具有深植入P型层的氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201780045145.5 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109564940A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 萨普撒里希·斯里拉姆;亚历山大·苏沃罗夫;克里斯特·哈林 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面平行 碳化硅基 第一层 植入 制造 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，包括：
SiC基底层；
布置在所述SiC基底层上的GaN缓冲层；和
具有与在其上提供所述GaN缓冲层的所述SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层，
其中在下列中的一个中提供所述p型材料层：所述SiC基底层和布置在所述SiC基底层上的第一层。
2.根据权利要求1所述的晶体管，还包含：
具有与在其上提供所述GaN缓冲层的所述SiC基底层的表面平行的长度的p+型材料层，所述p+型材料层的长度小于所述SiC基底层的整个长度，
其中，所述p型材料层和所述p+型材料层设置在以下各项之一中：所述SiC基底层和布置在所述SiC基底层上的第一层。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中与所述SiC基底层的表面平行的所述p+型材料层长度至少从源极延伸至少到与漏极邻近的栅极的边缘。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述p型材料层的长度小于所述SiC基底层的整个长度。
5.根据权利要求4所述的晶体管，其中与所述SiC基底层的表面平行的所述p型材料层长度至少从源极延伸朝向与漏极邻近的栅极的边缘。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述p型材料层设置在所述SiC基底层中；并且其中所述p型材料层包括植入在所述SiC基底层中的铝。
7.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述p+型材料层设置在所述SiC基底层中；并且其中所述p+型材料层包括植入在所述SiC基底层中的铝。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述p型材料层设置于布置在所述SiC基底层上的第一层中；其中所述第一层是SiC并且包括外延层；并且其中所述p型材料层包括在所述外延层中铝。
9.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述p型材料层设置在所述SiC基底层中；并且其中所述p型材料层配置成具有大于0.5μm的深度。
10.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述p型材料层在以下各项之一的整个长度上延伸：所述SiC基底层和布置在所述SiC基底层上的第一层。
11.一种制造高电子迁移率晶体管的方法，包括：
提供SiC基底层；
在所述SiC基底层上提供GaN缓冲层；
提供具有与在其上提供所述GaN缓冲层的所述SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层；和
在下列中的一个中提供所述p型材料层：所述SiC基底层和布置在所述SiC基底层上的第一层。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
提供具有与在其上提供所述GaN缓冲层的所述SiC基底层的表面平行的长度的p+型材料层，所述p+型材料层的长度小于所述SiC基底层的整个长度；
在以下之一中提供所述p型材料层和所述p+型材料层：所述SiC基底层和布置在所述SiC基底层上的第一层；和
提供具有与所述SiC基底层的表面平行的长度的p型材料层，在所述SiC基底层上所述GaN缓冲层还包括利用通道条件植入p型材料。
13.根据权利要求12所述的方法，其中与所述SiC基底层的表面平行的所述p+型材料层长度至少从源极延伸至少到与漏极邻近的栅极的边缘。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述p型材料层的长度小于所述SiC基底层的整个长度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中与所述SiC基底层的表面平行的所述p型材料层长度至少从源极延伸朝向与漏极邻近的栅极的边缘。
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