[发明专利]具有薄膜台阶覆盖性的涂覆膜、具备该膜的结构基体在审
| 申请号: | 201780044924.3 | 申请日: | 2017-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN109563463A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
| 发明(设计)人: | 广井佳臣;安部菜月;西野泰斗 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
| 主分类号: | C12M3/00 | 分类号: | C12M3/00;B05D3/00;B05D7/24;C12M1/00;C12M1/34 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;唐峥 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 涂覆膜 结构基体 共聚物包含 薄膜台阶 不对光学 生物材料 最大膜厚 最小膜厚 覆盖性 共聚物 附着 式中 制造 | ||
1.一种结构基体,其在至少一部分表面具备最大膜厚与最小膜厚之差为以下的涂覆膜,
所述涂覆膜包含下述共聚物,所述共聚物包含:含有下式(a)表示的基团的重复单元;和含有下式(b)表示的基团的重复单元,
[化学式1]
式中,
Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,An-表示选自由卤化物离子、无机酸根离子、氢氧根离子及异硫氰酸根离子组成的组中的阴离子。
2.如权利要求1所述的结构基体,其中,所述共聚物包含下式(a1)及(b1)表示的重复单元,
[化学式2]
式中,
Ta及Tb各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基;
Qa及Qb各自独立地表示单键、酯键或酰胺键;
Ra及Rb各自独立地表示可被卤原子取代的碳原子数1至10的直链或支链亚烷基;
Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基;
An-表示选自由卤化物离子、无机酸根离子、氢氧根离子及异硫氰酸根离子组成的组中的阴离子;
m表示0至6的整数。
3.如权利要求1或2所述的结构基体,其中,所述结构基体包含由至少两个彼此相接的平面构成、并且两个平面相交的角度为0<θ<180°的结构部分。
4.如权利要求1~3中任一项所述的结构基体,其中,涂覆膜为抑制生物材料附着的涂覆膜。
5.如权利要求1~4中任一项所述的结构基体,结构基体为细胞培养容器及/或光学测定用基体。
6.如权利要求1~5中任一项所述的结构基体,其中,结构基体表面在大气中的水接触角为0~120°、或在水中的气泡接触角为80~180°。
7.权利要求1所述的结构基体的制造方法,其包括下述工序:将涂覆剂经一步涂布于结构基体,在所述结构基体的至少一部分表面形成最大膜厚与最小膜厚之差为以下的涂覆膜,其中,
所述涂覆剂包含下述共聚物,所述共聚物包含:含有下式(a)表示的基团的重复单元;和含有下式(b)表示的基团的重复单元,
[化学式3]
式中,
Ua1、Ua2、Ub1、Ub2及Ub3各自独立地表示氢原子或者碳原子数1至5的直链或支链烷基,An-表示选自由卤化物离子、无机酸根离子、氢氧根离子及异硫氰酸根离子组成的组中的阴离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学株式会社,未经日产化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780044924.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:检测特定核酸序列的完全集成的手持式设备
- 下一篇:细胞培养模块





