[发明专利]静电吸盘

说明书

本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，放置处理对象物；基座板，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，加热器板具有：第1、2支撑板；加热器元件，设置在第1支撑板与第2支撑板之间；第1树脂层，设置在第1支撑板与加热器元件之间；及第2树脂层，设置在第2支撑板与加热器元件之间，当在层叠方向上观察时，第1支撑板的第2支撑板侧的面具有：第1区域，重叠于加热器元件；及第2区域，并不重叠于加热器元件，第2区域比第1区域更向第2支撑板侧突出。

技术领域

本发明的形态一般涉及一种静电吸盘。

背景技术

在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。

在具有静电吸盘的基板处理装置中，为了提高成品率及品质(例如提高晶片的加工精度)，要求对晶片进行温度控制。静电吸盘中，例如要求对晶片进行2种温度控制。一个是使晶片面内的温度分布趋于均匀的性能(温度均匀性)。另一个是在短时间内使晶片到达规定的温度的性能。例如，要求提高加热器的加热性能(升温速度)。由于升温速度关系到处理晶片时的生产节拍时间，因此影响生产率。另外，静电吸盘中，有时会要求有意图地使晶片面内的温度存在差异的性能(温度控制性)。

作为控制晶片温度的方法，已周知使用内置加热器(发热体)、冷却板的静电吸盘的方法。一般来讲，温度均匀性与温度控制性之间存在折衷选择的关系。同时，静电吸盘中，要求加热器的可靠性，尤其要求耐电压特性。

在晶片处理的流程中，外加RF(Radio Frequency)电压(高频电压)。当外加RF电压时，通常的加热器受高频电压影响而发热。这样，晶片温度受影响。另外，当外加RF电压时，漏电流流向设备侧。因此，在设备侧需要滤波器等机构。

在等离子蚀刻装置等中的流程中，向晶片照射各种强度及各种分布的等离子体。此时，要求以适合于流程的温度控制晶片温度(温度均匀性及温度控制性)。另外，为了提高生产性，要求晶片温度在较短时间内到达规定的温度。因急剧的温度变化、供热、高频电压外加而静电吸盘上产生热、电、机械性的负载。要求静电吸盘对这样的负载具有较高的可靠性(尤其是绝缘强度、粘接可靠性)。

尝试了例如通过内置于静电吸盘的加热器的温度控制来满足这样的要求。但是难以同时满足这样的要求。

专利文献1：日本国特开2010-40644号公报

发明内容

本发明是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，其能够承受热、电、机械性的负载，具有较高可靠性。

第1发明是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，设置于层叠方向上离开所述陶瓷电介体基板的位置，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间，其特征为，所述加热器板具有：第1支撑板，包含金属；第2支撑板，包含金属；加热器元件，设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间，因电流的流动而发热；第1树脂层，设置在所述第1支撑板与所述加热器元件之间；及第2树脂层，设置在所述第2支撑板与所述加热器元件之间，当沿着所述层叠方向观察时，所述第1支撑板的所述第2支撑板侧的面具有：第1区域，重叠于所述加热器元件；及第2区域，并不重叠于所述加热器元件，在平行于所述层叠方向的截面上，所述第2区域比所述第1区域更向所述第2支撑板侧突出。

根据该静电吸盘，加热器元件设置在第1支撑板与第2支撑板之间。由此，能够提高加热器板的面内温度分布的均匀化，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。另外，第1支撑板及第2支撑板能够从高频中隔绝加热器元件，能够抑制加热器元件异常温度发热。从而，能够提高静电吸盘的可靠性。