[发明专利]硅晶片的评价方法及制造方法

权利要求书

1.一种硅晶片的评价方法，其为从通过切克劳斯基法培育的单晶硅锭切出的硅晶片的评价方法，该硅晶片的评价方法的特征在于，

测定对所述硅晶片施以热供体产生热处理时产生的热供体的产生速度，根据该热供体的产生速度来判别晶体缺陷区域的有无或晶体缺陷的种类,

在所述热供体的产生速度的测定中，

求出第1热供体产生速度，该第1热供体产生速度为在从所述单晶硅锭切出的第1硅晶片含氧簇的状态下施以所述热供体产生热处理时，在所述第1硅晶片上的第1测定点产生的热供体的产生速度,

求出第2热供体产生速度，该第2热供体产生速度为对与所述第1硅晶片不同的第2硅晶片依次施以供体消除处理及所述热供体产生热处理时，在所述第2硅晶片上的第2测定点产生的热供体的产生速度,

在所述晶体缺陷区域的有无或晶体缺陷的种类的判别中，

根据所述第1热供体产生速度相对于所述第2热供体产生速度之比即热供体产生速度比，判别所述第1硅晶片上的所述第1测定点相当于含OSF核的区域、含空隙缺陷的区域或无缺陷区域中的哪一个，

在所述热供体的产生速度的测定中，测定所述硅晶片的电阻率，根据所述电阻率从欧文曲线求出载流子浓度，根据所述热供体产生热处理前后的载流子浓度求出热供体产生量，从所述热供体产生热处理的时间与所述热供体产生量的关系求出所述热供体的产生速度。

2.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其中，

通过在沿着所述硅晶片的径向设置的多个测定点分别测定所述热供体的产生速度，制作所述硅晶片的径向的晶体缺陷图。

3.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其中，

所述热供体产生速度比在第1速度范围内时，判别为所述第1硅晶片上的所述第1测定点是无缺陷区域；

所述热供体产生速度比在高于所述第1速度范围的第2速度范围内时，判别为所述第1硅晶片上的所述第1测定点是含空隙缺陷的区域；

所述热供体产生速度比在高于所述第2速度范围的第3速度范围内时，判别为所述第1硅晶片上的所述第1测定点是含OSF核的区域。

4.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其中，

所述热供体产生热处理是在430℃以上、480℃以下且2小时以上、4小时以下的热处理。

5.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其中，

施以450℃且4小时的所述热供体产生热处理时，所述热供体产生速度比为1.3以上、小于1.7时，判别为所述第1硅晶片上的所述第1测定点是无缺陷区域。

6.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其中，

施以450℃且4小时的所述热供体产生热处理时，所述热供体产生速度比为1.7以上、小于1.9时，判别为所述第1测定点是含空隙缺陷的区域。

7.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其中，

施以450℃且4小时的所述热供体产生热处理时，所述热供体产生速度比为1.9以上、小于2.3时，判别为所述第1测定点是含OSF核的区域。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的硅晶片的评价方法，其中，

所述第1硅晶片和第2硅晶片是从所述单晶硅锭连续切出的硅晶片。