[发明专利]混合检查系统

权利要求书

1.一种混合检查系统，包括：第一检查设备，用于基于通过用X射线照射半导体晶片的表面获得的X射线测量数据来检查半导体晶片的表面上的微结构；以及第二检查设备，用于通过不使用X射线的测量方法来检查半导体晶片的表面上的微结构，

其中第一检查设备是使用X射线小角度散射的X射线纳米形状测量装置，

由第一检查设备获得的所述X射线测量数据的分析结果被输出到第二检查设备，并且

第二检查设备通过使用由第一检查设备获得的所述X射线测量数据的所述分析结果来检查半导体晶片的表面上的微结构。

2.如权利要求1所述的混合检查系统，其中第一检查设备包括：

测量单元，用于用X射线照射半导体晶片的表面并测量散射强度；

拟合单元，用于假设在半导体晶片的表面上具有微结构的样本模型，所述微结构在垂直于所述表面的方向上形成具有不同折射率的多个层，并且在所述层中构成其中单元结构在平行于所述表面的方向上周期性地布置的周期性结构，考虑由样本模型中形成的所述多个层引起的折射和反射的效应来计算由微结构散射的X射线的散射强度，并且将基于样本模型计算的X射线散射强度拟合到测得的散射强度；

确定单元，用于基于拟合单元的拟合结果确定用于指定单元结构的形状的参数的最佳值；以及

输出单元，用于根据预定协议向第二检查设备输出包含用于指定单元结构的形状的参数的最佳值的分析值的至少一部分作为输出值，并且第二检查设备通过使用来自第一检查设备的输出值来检查半导体晶片的表面上的微结构。

3.如权利要求1所述的混合检查系统，其中第一检查设备包括：

测量单元，用于用X射线照射半导体晶片的表面并测量散射强度；

拟合单元，用于假设在半导体晶片的表面上具有微结构的样本模型，所述微结构在垂直于所述表面的方向上形成一个或多个层并且在所述层中构成其中单元结构在平行于所述表面的方向上周期性地布置的周期性结构，所述单元结构还具有从其严格的周期性位置的位置波动，并且所述位置波动是随机的而不取决于相互位置差异，所述单元结构由均匀的实际区域和空间区域在所述层中形成，计算由实际区域生成的X射线的散射强度，并将基于样本模型计算出的X射线散射强度拟合到测得的散射强度；

确定单元，用于基于拟合单元的拟合结果确定用于指定单元结构的形状的参数的最佳值；以及

输出单元，用于根据预定协议将包含用于指定单元结构的形状的参数的最佳值的分析值的至少一部分作为输出值输出到第二检查设备，并且第二检查设备通过使用来自第一检查设备的输出值来检查半导体晶片的表面上的微结构。

4.一种混合检查系统，包括：第一检查设备，用于基于通过用X射线照射半导体晶片的表面获得的X射线测量数据来检查半导体晶片的表面上的微结构；以及第二检查设备，用于通过不使用X射线的测量方法来检查半导体晶片的表面上的微结构，

其中第一检查设备是使用X射线小角度散射的X射线纳米形状测量装置，

由第二检查设备获得的测量数据和所述测量数据的分析结果之一被输出到第一检查设备，并且第一检查设备通过使用由第二检查设备获得的所述测量数据和所述测量数据的所述分析结果之一来检查半导体晶片的表面上的微结构。