[发明专利]用于生产光电子组件的方法和光电子组件有效
| 申请号: | 201780041849.5 | 申请日: | 2017-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN109417109B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
| 发明(设计)人: | T.格布尔;M.平德尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/56;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/50 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘书航;刘春元 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 生产 光电子 组件 方法 | ||
一种用于生产光电子组件的方法包括:用于提供载体的步骤;用于在载体的顶侧上方布置被结构化的反射器的步骤;用于在反射器的开口中布置具有顶侧和与顶侧相对的底侧的光电子半导体芯片的步骤,其中光电子半导体芯片的底侧面对载体的顶侧;用于在载体的顶侧上方布置嵌入材料的步骤,其中光电子半导体芯片至少部分地嵌入到嵌入材料中,作为其结果形成包括光电子半导体芯片、反射器和嵌入材料的合成主体;以及用于将合成主体从载体卸除的步骤。
描述
本发明涉及用于生产光电子组件的方法和光电子组件。
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2016 112 293.9的优先权,其公开内容被通过引用合并于此。
已知例如发光二极管组件的光电子组件,其中光电子半导体芯片被嵌入到嵌入材料中,该嵌入材料形成包括极其紧凑的尺寸的壳体。已知的是使用光学反射的嵌入材料,以便使由光电子半导体芯片在横向方向上发射的光沿向前方向偏转。
本发明的一个目的是指定一种用于生产光电子组件的方法。本发明的进一步的目的是提供一种光电子组件。这些目的是借助于包括独立权利要求的特征的方法和装置来实现的。在从属权利要求中指定了各种发展。
用于生产光电子组件的方法包括:用于提供载体的步骤;用于在载体的顶侧上方布置被结构化的反射器的步骤;用于在反射器的开口中布置包括顶侧和与顶侧相对的底侧的光电子半导体芯片的步骤,其中光电子半导体芯片的底侧面对载体的顶侧;用于在载体的顶侧上方布置嵌入材料的步骤,其中光电子半导体芯片至少部分地嵌入到嵌入材料中,作为其结果形成包括光电子半导体芯片、反射器和嵌入材料的合成主体;以及用于将合成主体从载体卸除的步骤。
在通过该方法可获得的光电子组件的情况下,反射器可以用于反射由光电子半导体芯片发射的光,并且由此带来光在优选的发射方向上的偏转。作为结果,由通过该方法可获得的光电子组件发射的光被至少部分地引导。因为由光电子半导体芯片在其它空间方向上发射的光在反射器处被至少部分地沿优选的发射方向偏转并且因此被利用,所以所述光未损失。作为结果,通过该方法可获得的光电子组件可以包括高亮度和高效率。
通过该方法可获得的光电子组件可以有利地包括非常紧凑的外部尺寸。这特别是凭借如下事实实现的:光电子组件不需要包括除了光电子半导体芯片、反射器和嵌入材料之外的任何进一步的主要组件部分。
在该方法的一个实施例中,反射器被形成为平坦片材或平坦膜,特别是被形成为金属引线框或金属膜。有利地,作为结果反射器包括高的光学反射率。此外,反射器是简单地可获得的并且是成本有效的。例如,可以通过激光切割来执行对反射器进行结构化。
在该方法的一个实施例中,载体被提供有布置在其顶侧处的粘接膜,特别是被提供有通过热处理或者通过电磁辐照而可脱除的粘接膜。在该方法的该实施例中,反射器被布置在粘接膜上。有利地,提供粘接膜使得能够稍后进行合成主体从载体的简单的且可靠的卸除。这降低了对合成主体的损坏的风险以及对所生产的光电子组件的损坏的风险。为了卸除合成主体的目的,可以例如通过热处理或通过电磁辐照(例如通过利用UV光进行辐照)来降低粘接膜的粘接性。
在该方法的一个实施例中,光电子半导体芯片的一个或多个电接触焊盘被布置在光电子半导体芯片的底侧处。所述电接触焊盘可以用于电接触光电子半导体芯片并且可以在通过该方法可获得的光电子组件的情况下形成电连接焊盘。
在该方法的一个实施例中,光电子半导体芯片被形成为倒装芯片。通过示例的方式,光电子半导体芯片可以被形成为蓝宝石倒装芯片。
在该方法的一个实施例中,光电子半导体芯片被形成为体发射的发光二极管芯片。有利地,在通过该方法可获得的光电子组件的情况下,由体发射的发光二极管芯片在并非对应于光电子组件的优选的发射方向的空间方向上发射的光在光电子组件的反射器处被至少部分地反射并且沿优选的发射方向偏转。作为结果,由光电子半导体芯片发射的光的这些部分也至少部分地被利用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780041849.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





