[发明专利]膜及其制造方法

说明书

本发明提供耐破裂性以及均匀延伸性优良的膜及其制造方法。本发明的膜是单层的膜，其特征在于，由同时属于ETFE、PFA、FEP、ECTFE以及PMP的任1种树脂的2种树脂的混合树脂构成，膜的熔体流动速率为6g/10分钟以上低于20g/10分钟，且通过规定的测定方法所测定的膜的α在0.99以上。

技术领域

本发明涉及膜及其制造方法。

背景技术

通常，为了阻断、保护半导体芯片不受外部气体影响，将其收纳(密封)在称为封装体的容器中，然后作为半导体元件被安装在基板上。封装体中，使用环氧树脂等固化性树脂。

作为半导体元件的制造方法，例如，已知将安装有半导体芯片等的基板以使其位于模具内的规定的场所的方式进行配置、在模具内填充固化性树脂使其固化的所谓传递成形法或压缩成形法的方法。此外，为了提高生产性，在基板上安装多个半导体芯片等、将其用固化性树脂一次性密封后，以使多个半导体芯片等分离的方式切断封装体以及基板，进行单片化。

在上述传递成形法或压缩成形法中，为了使模具和封装体的脱模容易，有时在模具的与固化性树脂相接的面上配置脱模膜。密封时，由于脱模膜因为真空抽吸等而被拉伸、与模具随动，因此通常对脱模膜要求脱模性、模具随动性等。

作为脱模膜，例如提出以下的内容。

(1)由相对于选自热塑性树脂以及热固化性树脂的至少1种的树脂100质量份、含有0.01～10质量份的具有规定的极限粘度以及熔点的4-甲基-1-戊烯系聚合物的树脂组合物而得的脱模膜(专利文献1)。

(2)在由将JIS A硬度为70以上、维卡软化温度为100～180℃的聚氨酯类弹性体单独、或将该聚氨酯类弹性体作为主要成分的热塑性弹性体组合物构成的膜上照射电离性放射线而成的脱模膜(专利文献2)。

(3)包括配置于至少一方的最表层的、含有聚对苯二甲酸二醇酯的聚酯树脂层，上述聚酯树脂层具有规定的结晶度，通过ATR法测定的2910cm^-1～2930cm^-1区域的最大吸收峰强度Pa与2950cm^-1～2970cm^-1区域的最大吸收峰强度Pb满足规定的关系的脱模膜(专利文献3)。

(4)一种由含氟树脂构成的脱模膜，其在规定的条件下测定的、膜长边方向的应力与幅方向的应力之差在1.80MPa以下(专利文献4)。

近年，为了提高生产性，用模具一次性密封的面积(密封面积)存在大型化的倾向。例如作为安装半导体芯片等、并配置于模具的基板的大小，以往通常为200mm×70mm等，但近年，例如方形的情况采用200mm×200mm、圆形的情况采用直径12英寸(30.48cm)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2014-40606号公报

专利文献2：日本专利特开2012-207195号公报

专利文献3：日本专利特开2014-213493号公报

专利文献4：日本专利特开2013-147026号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在用固化性树脂密封时，有时局部地对脱模膜施加负荷。例如在传递成形中，需要使固化性树脂快速流动，以使固化性树脂在流动中不固化，其结果是，在模具的内腔的角部中对于脱模膜施加了较大冲击。